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J-GLOBAL ID：201702252121212398   整理番号：17A0443393

埋込みリッジAWGマルチプレクサをモノリシックに集積したSAG法により作製したEMLアレイ【Powered by NICT】

EML Array fabricated by SAG technique monolithically integrated with a buried ridge AWG multiplexer

著者 (6件)： Xu Junjie (Key Laboratory of Semiconductor Materials, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Liang Song (Key Laboratory of Semiconductor Materials, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhang Zhike (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  An Junming (State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Zhu Hongliang (Key Laboratory of Semiconductor Materials, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  Wang Wei (Key Laboratory of Semiconductor Materials, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China)
資料名： Optics & Laser Technology  (Optics & Laser Technology)
巻： 91  ページ： 46-50  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0245B  ISSN： 0030-3992  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 十チャネル電界吸収変調D FBレーザ(EML)アレイの作製を報告した。レーザアレイの異なる発光波長は選択領域成長(SAG)法,レーザを用いた電界吸収変調器(EAM)の統合のための使用により得られた。アレイ導波路回折格子(AWG)結合器は突合せ継手再生(B JR)技術によるレーザアレイを用いたモノリシックに集積した。埋込みリッジ導波路構造をAWG結合器を採用した。レーザ活性導波路とパッシブ導波路の間の不整合を除去する装置の導波路構造の作製に採用した自己整合作製法。Ti薄膜ヒータはアレイ中の各レーザとして統合されている。加熱器の助けを借りて,1.8nmチャネル間隔をもつ十レーザ放射が得られた。集積化EAMは11dB静的消光比よりも大きく8GHz小信号変調帯域幅以上であった。AWGの出力導波路で採取した光パワーは,各波長に対して 13dBmよりも大きかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： レーザアレイ ,  消光比 ,  リッジ導波管 ,  発光 ,  光集積回路 ,  自己整合 ,  結合器 ,  電界吸収 ,  導波路 ,  波長 ,  チタン ,  レーザ ,  レーザビーム ,  *多重装置
準シソーラス用語： アレイ導波路格子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： EMLレーザアレイ ,  選択領域成長 ,  一括接続 ,  自己整列製造法 ,  埋込みリッジ導波路 ,  フォトニック集積回路

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (7件)： 埋込み ,  リッジ ,  AWG ,  マルチプレクサ ,  集積 ,  作製 ,  アレイ