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J-GLOBAL ID：201702252763797409   整理番号：17A0399743

低温液相成長で実現したGaSeの遷移金属ドーピング【Powered by NICT】

Transition metal doping of GaSe implemented with low temperature liquid phase growth

著者 (5件)： Lei Nuo (Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Sato Youhei (Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Tanabe Tadao (Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Maeda Kensaku (Institute of Material Research, Tohoku University, Sendai, Japan) ,  Oyama Yutaka (Department of Materials Science, Tohoku University, Sendai, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 460  ページ： 94-97  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らのグループは,GaSe結晶を用いたテラヘルツ(THz)波発生の変換効率を改善する上で動作する。動作原理は高出力,単一可変周波数,室温動作などの利点を持つ差周波数発生(DFG)に基づいている。本研究では,GaSe結晶は制御された蒸気圧(TDM CVP)の下での温度差法により成長させた。Bridgman法のそれよりも300°C低い温度で液相成長法である。この方法を用いて,点欠陥濃度は減少し,多形を制御できる。低周波THz領域における自由キャリア吸収を抑制するために遷移金属Tiを用いて,GaSeをドープすることであった。結果として,深いアクセプタ準位38meVのat%Tiドーピング1.4GaSeで形成されることが確認された。アンドープGaSeと比較して,室温でのキャリア濃度(10~14 cm~ 3)の減少も確認された。THz波透過率測定は,ドーパントの量が増加すると増加する吸収係数の傾向を明らかにした。最適量ドーパントであることが期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *液相成長 ,  テラヘルツ波 ,  吸収係数 ,  キャリア密度 ,  Bridgman法 ,  チタン ,  透過率 ,  点欠陥 ,  *低温 ,  ガリウム化合物 ,  *ドーピング ,  蒸気圧 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 変換効率 ,  *GaSe , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1点欠陥 ,  A2融液からの成長 ,  A3液相エピタクシー ,  B1ガリウム化合物 ,  B2半導性ガリウム化合物 ,  B3非線形光学

分類 (1件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 低温 ,  液相成長 ,  GaSe ,  遷移金属ドーピング