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J-GLOBAL ID：201702253218198275   整理番号：17A0362522

AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)オン状態分解における2次元電子ガス(2DEG)の役割【Powered by NICT】

Role of two-dimensional electron gas (2DEG) in AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) ON-state degradation

著者 (12件)： Syaranamual G.J. (Low Energy Electronic Systems, Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 138602, Singapore) ,  Syaranamual G.J. (School of Material Science and Engineering, Nanyang Technological University, 639798, Singapore) ,  Sasangka W.A. (Low Energy Electronic Systems, Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 138602, Singapore) ,  Made R.I. (Low Energy Electronic Systems, Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 138602, Singapore) ,  Arulkumaran S. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, 637553, Singapore) ,  Ng G.I. (Low Energy Electronic Systems, Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 138602, Singapore) ,  Ng G.I. (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological University, 639798, Singapore) ,  Foo S.C. (Temasek Laboratories@NTU, Nanyang Technological University, 637553, Singapore) ,  Gan C.L. (Low Energy Electronic Systems, Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 138602, Singapore) ,  Gan C.L. (School of Material Science and Engineering, Nanyang Technological University, 639798, Singapore) ,  Thompson C.V. (Low Energy Electronic Systems, Singapore-MIT Alliance for Research and Technology, 138602, Singapore) ,  Thompson C.V. (Department of Material Science and Engineering, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, MA 02139, USA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 589-593  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オン状態条件下でのそれらの信頼性上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)における二次元電子ガス(2DEG)の影響を調べた。オン状態のストレスを受けたデバイスは同程度の電場と温度を用いたオフ状態のストレスを受けた同等のデバイスに比べて最大ドレイン電流(I_Dmax)のより速い減少を示した。オン状態ストレスを受けたデバイスの走査型電子顕微鏡(SEM)画像は,ドレイン-ゲートアクセス領域におけるゲート端から離れた位置でのピット形成を示した。断面透過型電子顕微鏡(TEM)画像は,ゲート端から離れたAlGaN/SiN界面における暗特徴を示した。暗特徴の電子エネルギー損失分光法(EELS)解析は,ガリウム,アルミニウムと酸素の存在を示した。これら暗特徴をSEM顕微鏡写真で観察されたピットと相関していた。ジュール加熱を引き起こすに加えて,2次元電子ガス中の高エネルギー電子はAlGaNの電気化学的酸化を促進することによりデバイス劣化に寄与することを提案した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子エネルギー損失分光法 ,  電場 ,  抵抗加熱 ,  アルミニウム ,  界面 ,  *二次元電子ガス ,  酸素 ,  *HEMT ,  顕微鏡写真 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： *窒化アルミニウムガリウム ,  ドレイン電流 ,  オフ状態 ,  *オン状態 ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AlGaN/GaN ,  H EMT ,  オン状態 ,  信頼性 ,  III-V半導体 ,  ワイドバンドギャップ半導体

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  HEMT ,  オン状態 ,  分解 ,  2次元電子ガス ,  2DEG ,  役割