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J-GLOBAL ID：201702253355983952   整理番号：17A0400544

AlGaN/GaNに及ぼすSiC FETのためのTi及びTaベースOhm接触の形態学的および電気的比較【Powered by NICT】

Morphological and electrical comparison of Ti and Ta based ohmic contacts for AlGaN/GaN-on-SiC HFETs

著者 (12件)： Pooth A. (HH Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, UK) ,  Pooth A. (IQE (Europe) Ltd., Pascal Close, St. Mellons, Cardiff CF3 0LW, UK) ,  Bergsten J. (Chalmers University of Technology, Kemiv. 9, 41296 Gothenburg, Sweden) ,  Rorsman N. (Chalmers University of Technology, Kemiv. 9, 41296 Gothenburg, Sweden) ,  Hirshy H. (Cardiff School of Engineering, Cardiff University, Cardiff CF24 0YF, UK) ,  Perks R. (Cardiff School of Engineering, Cardiff University, Cardiff CF24 0YF, UK) ,  Tasker P. (Cardiff School of Engineering, Cardiff University, Cardiff CF24 0YF, UK) ,  Martin T. (IQE (Europe) Ltd., Pascal Close, St. Mellons, Cardiff CF3 0LW, UK) ,  Webster R.F. (HH Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, UK) ,  Cherns D. (HH Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, UK) ,  Uren M.J. (HH Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, UK) ,  Kuball M. (HH Wills Physics Laboratory, University of Bristol, Bristol BS8 1TL, UK)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 68  ページ： 2-4  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベーストランジスタ素子用の二種類のオーミック金属スタックの漏れ電流に及ぼす形態と影響を本研究で調べた。結果はGaNトランジスタ素子の性能と信頼性に密接な関係がある。低温度Taは基づいており,高温焼なましTiベースのメタライゼーションを比較した。低温プロセスは,従来の高温プロセスと比較して,より低い垂直および横方向漏れ数桁の大きさと共に滑らかな金属半導体界面を示した。漏れ試験に加えて,電流崩壊を緩和する通常の方法の潜在的な利点を明らかに行った逆バイアス傾斜実験。しかし低い漏れは高電力RF応用のための好ましい選択を低温プロセスを高電圧動作を可能にするであろう,電流崩壊を制御できる同時に。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Ohm接触 ,  *炭化ケイ素 ,  焼なまし ,  *モルフォロジー ,  *チタン ,  メタライゼーション ,  *窒化ガリウム ,  低温 ,  *タンタル ,  漏れ電流 ,  高温
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  金属-半導体界面 ,  低温プロセス ,  *AlGaN/GaN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  トランジスタ ,  Ohm接触 ,  Morphology ,  漏れ電流 ,  電流崩壊

分類 (5件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (8件)： AlGaN ,  GaN ,  SiC ,  FET ,  Ti ,  Ta ,  Ohm接触 ,  形態学