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J-GLOBAL ID：201702253687217009   整理番号：17A0852407

イオン化増強AlGaNヘテロ構造アバランシェフォトダイオード【Powered by NICT】

Ionization-Enhanced AlGaN Heterostructure Avalanche Photodiodes

著者 (8件)： Shao Z. G. (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Yang X. F. (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  You H. F. (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Chen D. J. (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Lu H. (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zhang R. (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Zheng Y. D. (Key Laboratory of Advanced Photonic and Electronic Materials, School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University, Nanjing, China) ,  Dong K. X. (School of Mechanical and Electronic Engineering, Chuzhou University, Chuzhou, China)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 38  号： 4  ページ： 485-488  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来の高Al含有AlGaN均一層の代わりにhigh/low Al含有量AlGaN層からなるヘテロ構造増倍領域は平均正孔イオン化係数を増加させ,分離吸収及び増倍構造に基づくAlGaNアバランシェフォトダイオード(APD)における高い利得を実現するために提案した。Al_0 2Ga_0 8N/Al_0.45Ga_0Ga0.55Nヘテロ構造増倍領域を用いて作製したAPDは非常に急峻な故障と109Vの逆バイアスで5.5×10~4の最大利得を示した。Al_0 2Ga_0 8N/Al_0.45Ga_0Ga0.55Nヘテロ構造界面に形成された伝導帯への大きなポテンシャル障壁は電子開始増殖を抑制し,従って,電子の輸送を妨害することによって,APDの雑音を低減することができる。雑音のシミュレーションをヘテロ構造からのこの効果を確認した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： ポテンシャル障壁 ,  *イオン化 ,  雑音 ,  正孔 ,  界面 ,  *アバランシェフォトダイオード ,  電離係数 ,  伝導バンド ,  利得
準シソーラス用語： 逆バイアス ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： イオン化 ,  増強 ,  AlGaN ,  ヘテロ構造 ,  アバランシェフォトダイオード