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J-GLOBAL ID:201702253711106037   整理番号:17A0362429

熱加速試験後の直列チョッパ応用におけるRF LDMOSのための電磁干渉の進化研究【Powered by NICT】

Evolution study of the ElectroMagnetic Interference for RF LDMOS in series chopper application after thermal accelerated tests
著者 (3件):
資料名:
巻: 64  ページ: 93-97  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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温度は重要なパラメータである,システムや回路の適切な機能,特にRF電子素子。信頼性と性能にかなりの影響結果として破壊機構と寿命の重要な部分を果たす。最近の研究は,加速劣化試験後の電磁Intereferences(EMI)進化とロバスト性挙動(静的,動的とRF)に及ぼすそれらの影響に焦点を当てた。電力応用におけるRFデバイスを使用する稀である。直列チョッパに適用したRF LDMOS(Radio Frequency横方向拡散金属酸化物半導体)素子の共通および差動モードにおけるintereferencesの(EMI)の変化を検討した。さらに電気的パラメータに及ぼすそれらの影響を種々の熱加速劣化試験後に調べた。実験結果(スペクトルと波形パラメータ)を示し,議論した。得られた測定は,時効後の干渉スペクトルに対する共鳴の振幅の明らかな増加であることを明らかにした。発展は,すべてのパラメータと異なる熱試験のために同じではない。シフトは温度に比例した。熱試験後のパラメータのシフトの物理的機構のより良い理解を達成するために,数値モデル(Silvaco Atlas)は,劣化現象を確認した。,ゲート酸化物中の電荷捕獲はMiller容量値(C_rss)の減少を引き起こし,その後の擾乱レベルが低下した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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トランジスタ  ,  固体デバイス計測・試験・信頼性 

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