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J-GLOBAL ID：201702255282925393   整理番号：17A0444957

CuMgAl合金バッファ層を用いたCuメタライゼーションの性質【Powered by NICT】

The properties of Cu metallization based on CuMgAl alloy buffer layer

著者 (6件)： Yu Zhinong (School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Xue Jianshe (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) ,  Yao Qi (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) ,  Li Zhengliang (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) ,  Hui Guanbao (Beijing BOE Optoelectronics Technology Co., Ltd, Beijing 100176, China) ,  Xue Wei (School of Optoelectronics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 170  ページ： 16-20  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cuメタライゼーションの応用を開発するためにバッファ層としてCuMgAl合金薄膜に基づくCuメタライゼーションの性質は,接着,拡散及び電子特性の観点から調べた。Cu膜の完全な接着は2.5sccm酸素フラックスと250°Cの基板温度で堆積したCuMgAlバッファ層で得られた。Cu膜の抵抗率は基板温度上昇とともに減少し,CuMgAl膜を蒸着したとき2.5sccm酸素フラックスの最大値を持つ。にテーパ角とCu/CuMgAl相互接続線の臨界次元バイアスを1工程の湿式エッチング・プロセス段階で得られた。Auger電子分光法(AES)は2.5sccm酸素フラックスと250°Cの基板温度で堆積したCuMgAl合金障壁層はCuMgAl/基板の界面におけるMgとAlの酸化物が形成されるためにCu膜と基板間の良好な抗拡散を持つことを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銅 ,  ウェットエッチング ,  *マグネシウム ,  相互接続 ,  *メタライゼーション ,  Auger分光法 ,  基板温度 ,  *アルミニウム ,  電気抵抗率 ,  *バッファ層 ,  バイアス ,  界面
準シソーラス用語： バリア層 ,  酸素フラックス ,  合金薄膜 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cuメタライゼーション ,  CuMgAl合金 ,  Resistivity ,  接着 ,  拡散

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： バッファ層 ,  Cu ,  メタライゼーション ,  性質