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J-GLOBAL ID：201702255990699048   整理番号：17A0381587

3ウエハボンディングを利用したウエハレベル真空パッケージングを用いたAlN広帯域エネルギーハーベスタ【Powered by NICT】

AlN wideband energy harvesters with wafer-level vacuum packaging utilizing three-wafer bonding

著者 (7件)： Wang Nan (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Sun Chengliang (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Siow Li Yan (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Ji Hongmiao (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Chang Peter (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Zhang Qingxin (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore) ,  Gu Yuandong (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), Singapore)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2017  号： MEMS  ページ： 841-844  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,64.6Hzの動作帯域幅(859.9Hz-924.5Hz, 7.24%)を持つ窒化アルミニウム(AlN)に基づく圧電MEMSエネルギーハーベスタ(EH),4.43Vのピーク出力開回路電圧とそのサイズ0.8×0.8×0.175cm~3の0.734mW/cm~3の高出力密度をもたらすことを82.24μWの出力を実験的に実証した。社内微細加工広帯域EHはトップキャップウエハと底部キャップウエハの両方に素子ウエハを接着するために共晶AlGe結合の二倍を用いた新しいウエハレベル真空パッケージングスキームを用いてパッケージされる。さらに,Tiは共振器内部の真空レベルを向上させるためにゲッタ材料として用い,カンチレバーが経験した空気減衰を減らし,品質因子(Q値)と出力電圧を増加している。報告したEHは,広範囲の振動周波数の環境に位置する種々の無線センサノード(WSN)への電力供給にモノのインターネット(IoT)の応用における有望な候補である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電力供給 ,  片持梁 ,  チタン ,  帯域幅 ,  Q値 ,  *窒化アルミニウム ,  圧電気 ,  微細加工 ,  *広帯域 ,  MEMS
準シソーラス用語： 出力電圧 ,  品質因子 ,  開回路電圧 ,  *エネルギーハーベスタ ,  *ウエハボンディング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (7件)： ウエハボンディング ,  ウエハレベル ,  真空 ,  パッケージング ,  AlN ,  広帯域 ,  エネルギーハーベスタ