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J-GLOBAL ID：201702256603858972   整理番号：17A0007848

表面Co₂Fe₆B₂自由層とナノスケール厚さのタングステンブリッジとキャッピング層でデザインされた垂直磁気トンネル接合(p-MJT)スピンバルブ

Perpendicular magnetic tunnel junction (p-MTJ) spin-valves designed with a top Co₂Fe₆B₂ free layer and a nanoscale-thick tungsten bridging and capping layer

著者 (3件)： LEE Seung-Eun (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  SHIM Tae-Hun (Hanyang Univ., Seoul, KOR) ,  PARK Jea-Gun (Hanyang Univ., Seoul, KOR)
資料名： NPG Asia Materials (Web)  (NPG Asia Materials (Web))
巻： 8  号： Nov  ページ： WEB ONLY  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： U0883A  ISSN： 1884-4057  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 近年DRAMは20nm以下までの微細化に際して限界に達している。この問題の解決法の一つとして,表面CoFeB自由層をもつ垂直磁気トンネル接合(p-MJT)スピンバルブ構造が提案され,バックエンド工程(BEOL)温度400°Cで,高いトンネル磁気抵抗(TMR)比が達成されている。本研究では,表面Co₂Fe₆B₂自由層をもつp-MJTスピンバルブについて,400°CのBEOL温度でのTMR比におよぼすナノスケール厚さのブリッジとキャッピングの材料(TaまたはW)の影響を調べた。その結果,MgOトンネル障壁の面心立方結晶性の劣化は起らず,400°Cのex-situ熱処理で約143%のTMR比が得られた。さらに,Wのキャッピングおよびブリッジ層のほうが,Taのキャッピングおよびブリッジより,TMR比を向上させることがわかった。

シソーラス用語： *多層膜 ,  *磁気抵抗効果 ,  磁性薄膜 ,  *電子スピン ,  *トンネル接合 ,  タングステン ,  *ホウ化物 ,  コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  *磁気抵抗素子 ,  *磁気抵抗 ,  *トンネル効果 ,  タンタル
準シソーラス用語： *スピンバルブ構造 ,  トンネル磁気抵抗 ,  ホウ化コバルト鉄 ,  磁気トンネル接合 ,  *自由層

分類 (3件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  磁電デバイス  (NC03100X) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

引用文献 (37件)：

• Kim, K. N., Chung, U. I., Park, Y. W., Lee, J. Y., Yeo, J. H. & Kim, D. C. Extending the DRAM and FLASH memory technologies to 10nm and beyond. Proc. SPIE 8326, 832605 (2012).
• Park, S. K. Technology scaling challenge and future prospects of DRAM and NAND flash memory. IEEE Int. Memory Workshop 1-4 (2015).
• Appuswamy, R., Olma, M. & Ailamaki, A. Scaling the Memory Power Wall With DRAM-Aware Data Management. Proceedings of the 11th International Workshop on Data Management on New Hardware 3 (ACM, 2015).
• Wolf, S. A., Awschalom, D. D., Buhrman, R. A., Daughton, J. M., von Molnár, S., Roukes, M. L., Chtchelkanova, A. Y. & Treger, D. M. Spintronics: a spin-based electronics vision for the future. Science 294, 1488-1495 (2001).
• Chun, K. C., Zhao, H., Harms, J. D., Kim, T. H., Wang, J. P. & Kim, C. H. A scaling roadmap and performance evaluation of in-plane and perpendicular MTJ based STT-MRAMs for high-density cache memory. IEEE J. Solid-State Circuits 48, 598 (2013).

タイトルに関連する用語 (10件)： 自由層 ,  ナノスケール ,  厚さ ,  タングステン ,  ブリッジ ,  キャッピング層 ,  デザイン ,  垂直 ,  磁気トンネル接合 ,  スピンバルブ