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J-GLOBAL ID：201702257022784481   整理番号：17A0085380

シリコン上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスターにおけるバッファー誘導・時間依存性・OFF状態・漏えい

Buffer-Induced Time-Dependent OFF-State Leakage in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on Silicon

著者 (10件)： Tao Ming (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Maojun (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Liu Shaofei (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Xie Bing (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Yu Min (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wen Cheng P. (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Jinyan (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Hao Yilong (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wu Wengang (Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Shen Bo (Department of Physics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 63  号： 12  ページ： 4860-4864  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン基板上のAlGaN/GaN金属/絶縁膜/半導体・高電子移動度トランジスター(MISHEMT)の時間依存性・OFF状態・漏えい挙動を調べ,新しい劣化メカニズムを提案した。一定な高電圧OFF状態ストレス下では,ドレイン漏えい電流はストレス時間とともに徐々に増加し,その挙動はゲート・バイアスと温度に依存する。ドレイン注入手法による逐次OFF状態断絶の測定から,しきい値電圧(V_th)の負のシフトが,ストレス測定中のドレイン漏えい電流増加に関与していることが分かった。このV_thの負のシフトは,主に,チャンネル近くの未補償ドナーに似た深いレベルの電離に誘導され,その位置は,炭素ドープバッファー層の上にある非意図的にドープされた300nm厚さのGaN層であるという説を提案した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  バッファ層 ,  *時間依存性 ,  MIS構造 ,  *漏れ電流 ,  劣化 ,  高電圧 ,  *耐圧性 ,  ドレイン【半導体】 ,  バイアス ,  電圧変動 ,  応力測定 ,  ドナー ,  深い準位 ,  イオン化 ,  炭素 ,  ドーピング ,  絶縁破壊 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： ケイ素基板 ,  *AlGaN/GaN ,  オフ状態 ,  電圧ストレス ,  ゲートバイアス ,  閾値電圧シフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスター ,  バッファー ,  誘導 ,  時間依存性 ,  OFF状態 ,  漏えい