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J-GLOBAL ID：201702257191184953   整理番号：17A0443377

フリップチップ法でパッケージしたSRAMデバイスのためのアルファ粒子誘起SEU断面積を測定するための代替的アプローチ:高エネルギーアルファ裏面照射【Powered by NICT】

An alternative approach to measure alpha-particle-induced SEU cross-section for flip-chip packaged SRAM devices: High energy alpha backside irradiation

著者 (5件)： Khan Saqib Ali (RSC Lab, Electronics and Communication Engineering Department, Hanyang University, Republic of Korea) ,  Lim Chulseung (RSC Lab, Electronics and Communication Engineering Department, Hanyang University, Republic of Korea) ,  Bak Geunyong (RSC Lab, Electronics and Communication Engineering Department, Hanyang University, Republic of Korea) ,  Baeg Sanghyeon (RSC Lab, Electronics and Communication Engineering Department, Hanyang University, Republic of Korea) ,  Lee Soonyoung (Technology Quality & Reliability, Samsung Electronics, Yongin City, Gyeonggi-do, Republic of Korea)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 69  ページ： 100-108  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルファ粒子に対するデバイス感度を評価するために,従来のシングルイベント効果(SEE)試験は,同位体源,5MeV以上で粒子を放出することを用いて行った。執拗なダウンスケーリングと高い充填密度はますます複雑な包装を開発する需要を駆動した:より小さな,より薄い,膨大な入力/出力ピン数を持つ当りの切り屑。フリップチップ接合デバイスは,これらすべての要求を満たすが,アルファ粒子に対する試験は大きな挑戦である。同位体源から放出されるアルファイオンの飛程が非常に短く,これはチップのいずれかの側から能動回路-までの浸透を妨げた。高エネルギーアルファ線照射はこのような素子のためのアルファSEE断面積を測定し,相関させるために使用できる可能性があるという証拠を提示した。提案した方法は,チップ裏面からの,高エネルギーアルファ粒子は,有感体積(SV)での低エネルギー(5MeV)を模倣している。入射粒子は全シリコン基板を貫通し,アップセットを誘導するSVにおける電荷を堆積した。,基板全体を横断し,SVでのイオンのエネルギーとLETはTRIMを用いて決定した。SEE実験は14nm FinFET SRAMデバイスについて行ったフリップチップとワイヤボンディング構造中に集合し,それぞれ,背面と伝統的な先端試験した。高エネルギーアルファ照射はCREME MC-Geant4ベースモンテカルロ輸送コードを用いてシミュレートした。,伝統的および提案した方法の,試験とシミュレーション結果は,相関式を提示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： α線照射 ,  切り屑 ,  *SRAM ,  飛程 ,  *α粒子 ,  ワイヤボンディング ,  能動回路 ,  *断面積 ,  *フリップチップ法
準シソーラス用語： 輸送コード ,  FinFET ,  シリコンウエハ ,  ダウンスケーリング ,  SEE【事象】 ,  *高エネルギー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シングルイベント効果(SEE) ,  アルファ粒子 ,  ソフトエラー ,  GEANT4 ,  14nm FinFET

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  プリント回路  (NA05040O)

タイトルに関連する用語 (9件)： フリップチップ法 ,  パッケージ ,  SRAM ,  アルファ粒子 ,  誘起 ,  SEU ,  断面積 ,  代替 ,  高エネルギー