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J-GLOBAL ID：201702257259004214   整理番号：17A0318042

シリコン上のIII-V材料のボイドフリー結合のための超薄SiO_2A LD(原子層堆積)層【Powered by NICT】

An ultra-thin SiO₂ ALD layer for void-free bonding of III-V material on silicon

著者 (6件)： Talneau A. (CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Pantzas K. (CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Durnez A. (CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Patriarche G. (CNRS - LPN, route de Nozay, F-91460 Marcoussis, France) ,  Alamarguy D. (GeePs Group of electrical engineering - Paris, UMR CNRS 8507, CentraleSupelec, Univ Paris-Sud, Sorbonne Universites, UPMC Univ Paris 06, 11 rue Joliot Curie, Plateau de Moulon, F-91192 Gif sur Yvette CEDEX, France) ,  Le Bourhis E. (Institut P’, CNRS - Univ de Poitiers, 2-Bd M et P Curie, F-86962 Chasseneuil, France)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 162  ページ： 40-44  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン上のIII-V層のハイブリッド結合は,中間結合層として超薄SiO_2原子層堆積-A LD層を実証した。SiO_2層のX線光電子分光法による特性評価は,プラズマ増強-PE-A LDプロセスは,OHダングリングボンドを有する表面を活性化することを証明した。これらのダングリングボンドは媒介結合に必要な表面活性化を確実にした。最適A LDプロセスパラメータをボイドフリーInP/Siハイブリッド界面を生成するために確立した。ハイブリッド界面は構造的におよび機械的に特性化した。すでにパターン化されたシリコン層はデバイス動作の中で考慮しなければならない場合に,同時に三つの利点:非常に薄く制御された厚さ,活性化表面と共形堆積を提供するのでA LD処理は,Si上のハイブリッド結合のための大きな関心事である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： プロセスパラメータ ,  中間結合 ,  *ケイ素 ,  プラズマ ,  リン化インジウム ,  ダングリングボンド ,  界面 ,  X線光電子分光法 ,  パターン形成 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 表面活性化 ,  二層 ,  *ALCVD , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： シリコン上のハイブリッド結合 ,  ハイブリッド界面 ,  SiO_2A LD(原子層堆積)層 ,  表面活性化 ,  ダングリングボンド

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  ボイド ,  LD ,  原子層堆積 ,  層