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J-GLOBAL ID：201702257901905953   整理番号：17A0362552

アナログとRF領域におけるゲルマニウムpTFETのプロセス誘起変動の研究【Powered by NICT】

Study of process induced variability of germanium-pTFET in analog and RF domain

著者 (3件)： Ghosh Sayani (Nano Device Simulation Laboratory, Electronics and Telecommunication Engineering Department, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India) ,  Koley Kalyan (Nano Device Simulation Laboratory, Electronics and Telecommunication Engineering Department, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India) ,  Sarkar Chandan K. (Nano Device Simulation Laboratory, Electronics and Telecommunication Engineering Department, Jadavpur University, Kolkata 700 032, India)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 65  ページ： 47-54  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲルマニウム(Ge)トンネル電界効果トランジスタ(TFET)は,シリコンベースのTFETの低オン電流問題を解決する優れた解決策であると考えられている。が,どのような低技術ノード素子(サブ100nm)におけるプロセス変動性は,先端のSoC応用におけるデバイス信頼性と信頼性に影響を与える物質の重要な課題である。本短報で,著者らは二つの主要なプロセス誘起変動a)ゲルマニウム体の厚さb)Sentaurus TCADデバイスシミュレーションを用いたGe pTFETにおけるゲート酸化物の厚さを調べた。解析は完全なアナログ領域と共に考慮したデバイスの非準静的効果と小信号等価モデルを用いた固有RF性能パラメータの研究を行った。プロセス誘起変動を図ドレイン電流(I),相互コンダクタンス(g),出力抵抗(R),固有利得(g_R),単位利得カットオフ周波数(f),最大利用可能電力利得の通過周波数(f),輸送遅延(τ),固有抵抗(R)と真性容量(C,C)などのメリット(FOM)を推定した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 利得 ,  信頼性 ,  電気抵抗率 ,  電流 ,  遮断周波数 ,  *アナログ系 ,  相互コンダクタンス ,  周波数
準シソーラス用語： パワーゲイン ,  ドレイン電流 ,  等価モデル ,  デバイスシミュレーション ,  TCAD ,  システムオンチップ ,  トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： アナログ ,  RF ,  ゲルマニウム ,  プロセス ,  誘起 ,  研究