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J-GLOBAL ID：201702258534602224   整理番号：17A0607853

高圧力下におけるTCNQ架橋平面型Cu(II)二核錯体の電気伝導率

著者 (7件)： 匠正治 (福岡大 理) ,  平田健三朗 (福岡大 理) ,  池田成人 (福岡大 理) ,  永田潔文 (福岡大 理) ,  川田知 (福岡大 理) ,  石川立太 (福岡大 理) ,  上野隼也 (福岡大 理)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 72  号： 1  ページ： ROMBUNNO.18pC21-8  発行年： 2017年03月21日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *圧力効果 ,  *銅錯体 ,  *電気伝導 ,  *電荷移動 ,  光吸収スペクトル ,  脂環式化合物 ,  ニトリル ,  ジエン ,  キノイド化合物

分類 (2件)： 第11族,第12族元素の錯体  (CE01050Y) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (1件)： TCNQ

タイトルに関連する用語 (6件)： 高圧力 ,  TCNQ ,  架橋 ,  Cu ,  二核錯体 ,  電気伝導率