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J-GLOBAL ID：201702258562807595   整理番号：17A0444963

軟X線干渉リソグラフィーによる高アスペクト比ナノスケール周期構造の作製【Powered by NICT】

Fabrication of high aspect ratio nanoscale periodic structures by the soft X-ray interference lithography

著者 (10件)： Zhao Jun (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China) ,  Wu Yanqing (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China) ,  Xue Chaofan (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China) ,  Yang Shumin (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China) ,  Wang Liansheng (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China) ,  Zhu Fangyuan (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China) ,  Zhu Zhichao (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials and Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, China) ,  Liu Bo (Shanghai Key Laboratory of Special Artificial Microstructure Materials and Technology, School of Physics Science and Engineering, Tongji University, Shanghai 200092, China) ,  Wang Yong (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China) ,  Tai Renzhong (Shanghai Institute of Applied Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai Synchrotron Radiation Facility, Shanghai 201800, PR China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 170  ページ： 49-53  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケール周期構造は増強された光抽出効率を得るためにシンチレータ分野で利用されている。良好な抽出効率を達成するのに必要な十分な構造深さ。最近,軟X線干渉リソグラフィー(SXIL)は上海シンクロトロン放射施設(SSRF)を開発した。SXILはフォトレジスト深さでビーム線量の均一な分布に起因する高アスペクト比パターンを作製するために用いることができる。新しい光子ストップ層を持つ回折格子マスクを試み,主にPerm合金から成るし,全寿命を増加させるSXILに対して最適化した。予備的な結果は3までのアスペクト比を有するPMMA構造はSXIL技術を用いて製造することに成功したことを示唆した。)それ故,この技法は高効率放射検出器面積におけるシンチレータに人工的なナノ構造を作製するために研究した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光子 ,  *アスペクト比 ,  *周期構造 ,  ナノ構造 ,  回折格子 ,  シンチレータ ,  ポリメタクリル酸メチル ,  フォトレジスト ,  *軟X線 ,  最適化
準シソーラス用語： 抽出効率 ,  光取出し効率 ,  *ナノスケール ,  *高アスペクト比 ,  *干渉リソグラフィー , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 周期構造 ,  シンチレータ ,  軟X線干渉リソグラフィー ,  高アスペクト比

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 軟X線 ,  干渉リソグラフィー ,  高アスペクト比 ,  ナノスケール ,  周期構造 ,  作製