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J-GLOBAL ID：201702258912778641   整理番号：17A0214193

0.38mA/μmの記録高イオンを用いたBEOL互換サブ10nm高アスペクト比(AR>7)単一結晶粒Si FinFETによって構築されたフットプリント効率と省電力モノリシックIoT3D~+ICと65mV/decの急スイングと8のI_on/I_off比【Powered by NICT】

Footprint-efficient and power-saving monolithic IoT 3D⁺ IC constructed by BEOL-compatible sub-10nm high aspect ratio (AR>7) single-grained Si FinFETs with record high Ion of 0.38 mA/μm and steep-swing of 65 mV/dec. and I_on/I_off ratio of 8

著者 (10件)： Yang Chih-Chao (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Shieh Jia-Min (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Hsieh Tung-Ying (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Huang Wen-Hsien (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Wang Hsing-Hsiang (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Shen Chang-Hong (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Hsueh Fu-Kuo (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan) ,  Hsieh Ping-Yi (Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Wu Meng-Chyi (Department of Electrical Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu, 30013, Taiwan) ,  Yeh Wen-Kuan (National Nano Device Laboratories, No.26, Prosperity Road 1, Hsinchu 30078, Taiwan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： IEDM  ページ： 9.1.1-9.1.4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： モノリシック3D積層可能なFinFET(3D~+ FinFETs)およびW相互接続を持つフットプリント効率的で省電力BEOL互換性3D~+ICは低い熱予算レーザスパイクアニール技術(Tsub<400~°C)と体ナノ平坦化プロセスによって実証された。超低欠陥表面を持つ狭い単一結晶粒Siフィン構造は,異方性ICPプラズマエッチングと表面改質プロセスにより作製した。作製されたサブ10nmと高アスペクト比(HFin/WFin>7)3D+FinFETは,急峻なサブ閾値スイング(S.S. 65mV/dec),記録的に高い駆動電流(1W_Eff(W_Eff=2H_Fin+W_Fin):386μA/μm(n型)と352μA/μm(p型)上のI),および高I_on/I_off(>10~7)を示し,次世代低コスト不均一集積IoTsとウェアラブルエレクトロニクスを見なした。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 表面改質 ,  *結晶粒 ,  フィン ,  相互接続 ,  互換性 ,  プラズマエッチング ,  *三次元
準シソーラス用語： 駆動電流 ,  平坦化 ,  積層 ,  *省電力 ,  *フットプリント ,  *FinFET ,  *BEOL ,  *高アスペクト比 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (12件)： イオン ,  BEOL ,  サブ ,  高アスペクト比 ,  結晶粒 ,  Si ,  FinFET ,  構築 ,  フットプリント ,  省電力 ,  DEC ,  スイング