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J-GLOBAL ID：201702259055233851   整理番号：17A0313230

酸化マンガンおよびタンタル酸化物デバイスの抵抗スイッチング特性【Powered by NICT】

Resistive switching characteristics in manganese oxide and tantalum oxide devices

著者 (6件)： Hu Quanli (Department of Physics, Myongji University, Gyeonggi-do 449-728, Republic of Korea) ,  Abbas Yawar (Department of Physics, Myongji University, Gyeonggi-do 449-728, Republic of Korea) ,  Abbas Haider (Department of Physics, Myongji University, Gyeonggi-do 449-728, Republic of Korea) ,  Park Mi Ra (Department of Physics, Myongji University, Gyeonggi-do 449-728, Republic of Korea) ,  Yoon Tae-Sik (Department of Materials Science and Engineering, Myongji University, Gyeonggi-do 449-728, Republic of Korea) ,  Kang Chi Jung (Department of Physics, Myongji University, Gyeonggi-do 449-728, Republic of Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 160  ページ： 49-53  発行年： 2016年07月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 平均直径30nmの単分散酸化マンガンナノ粒子は,化学的に合成した。ナノ粒子はディップコーティング及びアニーリングプロセスによりPt下部電極上に最密充填単分子層として集合した。Ta/Ta_2O_5/MnO/Ptデバイスを作製した。バイポーラ抵抗スイッチング挙動を,スイッチング層における導電性フィラメントの形成と破壊に起因することができた。安定自己コンプライアンス特性は高抵抗Ta/Ta_2O_5界面,Ta/Ta_2O_5のSchottky障壁及びTa_2O_5とMnO界面における伝導帯の不連続性に起因する実証した。Ta/Ta_2O_5/MnO/Ptデバイスの保持特性を調べた。オーミック伝導,空間電荷制限伝導,Schottky伝導とPoole-Frenkel放出の伝導機構は抵抗スイッチング機構を研究した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  伝導バンド ,  単分子層 ,  *酸化マンガン ,  コンプライアンス ,  不連続性 ,  *酸化タンタル ,  Schottky障壁 ,  浸漬塗装 ,  *スイッチング ,  界面 ,  白金
準シソーラス用語： 空間電荷制限伝導 ,  導電性フィラメント ,  *抵抗スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 抵抗スイッチング ,  酸化マンガン ,  タンタル酸化物 ,  自己コンプライアンス

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化マンガン ,  タンタル酸化物 ,  スイッチング特性