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J-GLOBAL ID：201702261303310730   整理番号：17A0551111

O₂共存H₂O雰囲気での界面近傍酸化膜成長による4H-SiC MOSFET移動度の向上

著者 (3件)： 平井悠久 (東大 大学院工学系研究科) ,  平井悠久 (日本学術振興会) ,  喜多浩之 (東大 大学院工学系研究科)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.17p-301-5  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 酸素 ,  水 ,  *酸化膜 ,  炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  薄膜成長 ,  界面 ,  *欠陥 ,  *キャリア移動度 ,  *化成皮膜
準シソーラス用語： 4H-SiC ,  界面欠陥 ,  膜中欠陥

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (10件)： O2 ,  共存 ,  H2O ,  雰囲気 ,  界面近傍 ,  酸化膜 ,  成長 ,  4H-SiC ,  MOSFET ,  移動度