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J-GLOBAL ID：201702261562798789   整理番号：17A0318050

可変保持時間とチャネル注入の間の関係の研究【Powered by NICT】

The study of relation between variable retention time and channel implantation

著者 (2件)： Son Younghwan (Semiconductor Research Center, Samsung Electronics, San 16, Banwol-dong, Hwasung-city, Gyeonggi-do, Korea) ,  Kang Myounggon (Semiconductor Research Center, Samsung Electronics, San 16, Banwol-dong, Hwasung-city, Gyeonggi-do, Korea)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 162  ページ： 82-84  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)細胞における可変滞留時間(VRT)を引き起こす接合漏れ電流のようなランダム電信信号(RTS)問題を研究した。種々のチャネルドーピング濃度をもつ試料デバイスを用いて,高漏れ状態と低い漏れ状態の保持時間は,多様なストレージノードバイアス条件で抽出し,それらの比は簡単な式に基づいて解析した。二状態の保持時間比は高チャネルドーピング試料中のバイアスと共に減少したが,それは通常のチャネルドーピング試料と低チャネルドーピング試料の両方で増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *チャネル ,  電信 ,  DRAM ,  バイアス ,  滞留時間 ,  *保持時間 ,  漏れ電流

著者キーワード (6件)： 保持時間 ,  DRAM ,  HVT ,  LVT ,  RVT ,  チャネルドーピング

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 可変 ,  保持時間 ,  チャネル ,  注入 ,  研究