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J-GLOBAL ID:201702261635232509   整理番号:17A0362469

ナノメートルスケールの電子デバイス解析のための走査マイクロ波顕微鏡法【Powered by NICT】

Scanning Microwave Microscopy for Electronic Device Analysis on Nanometre Scale
著者 (7件):
資料名:
巻: 64  ページ: 310-312  発行年: 2016年 
JST資料番号: C0530A  ISSN: 0026-2714  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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最先端電子デバイスの電気特性を,走査マイクロ波顕微鏡の重要な特徴の一つである。電荷キャリア特性に関する貴重な情報を提供するが,マイクロ波信号を用いた原子間力顕微鏡片持梁の組合せは,システムの実際の空間分解能についての問題を提起する。AlGaN/GaN構造の高度に閉込められた二次元電子ガスの例について,有効チップ半径が鋭い先端の理論的チップ半径の範囲にあることを実証したが,両者の値は不均一形状のカンチレバーチップで異なっていた。提示した方法は,システムの空間分解能のためのマイクロ波励起領域の役割ならびに有効チップ半径を特性化するこの方法の可能性を実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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固体デバイス計測・試験・信頼性 

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