文献

J-GLOBAL ID：201702262443301538   整理番号：17A0765924

ホールの正方格子を持つ超伝導NbN薄膜におけるマッチング効果【Powered by NICT】

Matching effect in superconducting NbN thin film with a square lattice of hole

著者 (9件)： Muhammad Kamran (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  He Shi-Kun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Wei-Jun (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Cao Wen-Hui (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Bo-Hong (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences) ,  Kang Lin (Research Institute of Superconducting Electronics, Department of Electronic Science & Engineering, Nanjing University) ,  Chen Jian (Research Institute of Superconducting Electronics, Department of Electronic Science & Engineering, Nanjing University) ,  Wu Pei-Heng (Research Institute of Superconducting Electronics, Department of Electronic Science & Engineering, Nanjing University) ,  Qiu Xiang-Gang (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 18  号： 10  ページ： 4486-4489  発行年： 2009年10月 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 正方形孔アレイを電子ビームリソグラフィーと反応性イオンミリングによるNbN薄膜のマイクロブリッジ上で作製した。磁気抵抗超伝導転移温度近くの正孔アレイを充填したマイクロブリッジの両端で測定した。渦の数は整数倍または穴の数の分数倍数となる場合磁気抵抗極小が起こることがわかった。温度と整合効果の電流依存性を調べた。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオンエッチング ,  *正方格子 ,  正孔 ,  *超伝導 ,  渦 ,  電子ビームリソグラフィー ,  磁気抵抗 ,  磁気 ,  反応性
準シソーラス用語： 電流依存性 ,  抵抗極小 ,  超伝導転移温度 ,  マイクロブリッジ ,  *NbN , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 磁束ピン止め ,  超伝導薄膜 ,  整合効果

分類 (4件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属系超伝導体の物性  (BM04022R) ,  その他の超伝導体の物性  (BM04025Q) ,  固体プラズマ  (BM02160W)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホール ,  正方格子 ,  伝導 ,  NbN ,  薄膜 ,  マッチング