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J-GLOBAL ID：201702263045800555   整理番号：17A0400506

フロントドア結合マイクロ波パルスによって誘起されたGaAs pHEMTのKuバンド損傷特性【Powered by NICT】

Ku band damage characteristics of GaAs pHEMT induced by a front-door coupling microwave pulse

著者 (7件)： Liu Yang (Ministry of Education, Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi’an 710071, China) ,  Chai ChangChun (Ministry of Education, Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi’an 710071, China) ,  Fan QingYang (Ministry of Education, Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi’an 710071, China) ,  Shi ChunLei (Ministry of Education, Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi’an 710071, China) ,  Xi Xiaowen (Ministry of Education, Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi’an 710071, China) ,  Yu XinHai (Ministry of Education, Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi’an 710071, China) ,  Yang YingTang (Ministry of Education, Key Lab. of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian Univ., Xi’an 710071, China)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 66  ページ： 32-37  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Kuバンドマイクロ波によって誘起されたGaAsシュードモルフィック高電子移動度トランジスタの損傷効果(pHEMT)低雑音増幅器(LNA)に関する研究は,実験とシミュレーション研究に基づいて,本論文で提示した。実験結果は,第一段階のバーンアウトであるLNA損傷の原因であることを示唆した。走査電子顕微鏡(SEM)とエネルギー分散X線分光法(EDS)は,損傷状況を観察し,高出力マイクロ波(H PM)注入前後の元素組成を比較した。ゲート金属は発熱の結果として融解することが分かった。ソース側近傍のゲート下の位置は燃焼不良であり,飛散した。シミュレータSentaurus TCADを用いたいくつかの物理的モデルと熱的パラメータを考慮した二次元熱モデルを確立することによって実施した詳細シミュレーション。結果は,バーンアウト位置は実験結果と一致することを示した。一方,正と負の半サイクルの両方で生じる温度上昇。pHEMTの損傷は作動電圧依存性を示し,バーンアウト時間は,ドレイン電圧の増加とともに増加した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： バーンアウト ,  *HEMT ,  走査電子顕微鏡 ,  *ヒ化ガリウム ,  低雑音増幅器 ,  昇温 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *マイクロ波 ,  電圧依存性 ,  二次元
準シソーラス用語： 熱モデル ,  TCAD ,  高出力マイクロ波 ,  *Kuバンド ,  *PHEMT , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 低雑音増幅器 ,  高電子移動度トランジスタ ,  高出力マイクロ波 ,  Kuバンド ,  損傷

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： フロント ,  ドア ,  マイクロ波 ,  パルス ,  誘起 ,  GaAs ,  PHEMT ,  Kuバンド ,  損傷