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J-GLOBAL ID：201702264653031252   整理番号：17A0855345

鋭い界面の深さプロフィリングにおける深さ分解能と選択的スパッタリング【Powered by NICT】

Depth resolution and preferential sputtering in depth profiling of sharp interfaces

著者 (3件)： Hofmann S. (Max Planck Institute for Intelligent Systems (formerly MPI for Metals Research), Heisenbergstrasse 3, D-70569 Stuttgart, Germany) ,  Han Y.S. (Department of Physics, Shantou University, 243 Daxue Road, Shantou, 515063 Guangdong, China) ,  Wang J.Y. (Department of Physics, Shantou University, 243 Daxue Road, Shantou, 515063 Guangdong, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 410  ページ： 354-362  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタ深さプロフィルの深さ分解能に及ぼす選択的スパッタリングの影響をA/B界面における二成分の異なるスパッタリング速度を研究した。スパッタリング時間スケール(測定)と深さスケールの両方の表面濃度と強度深さプロフィルを拡張混合粗さ情報深さ(MRI)モデルによる計算によって得た。結果は二個の極端なケース(a)優勢な粗さと(b)優勢な原子混合の明確な差を示した。ケース(a)では,高速スパッタリング成分は遅いスパッタリング成分のトップに置かれているならば時間スケール(Δt(16 84%))に及ぼす界面幅は選択的スパッタリングと共に増加したが,深さスケール(Δz(16 84%))上の真の分解能は一定であった。ケース(b)では,時間スケールでの界面幅は一定を保つが,深さスケール上の真の分解能は優先スパッタリングによって変化する。原子混合と粗さパラメータの大きさの同じオーダーでは,二極値間の遷移状態を得た。SIMSの正規化強度分布は表面濃度のそれを表しているが,界面における付加的なマトリックス効果を引き起こすかもしれない平均電子脱出深さの影響によるXPSおよびAESで遭遇する広がり効果。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： マトリックス効果 ,  *スパッタリング ,  遷移状態 ,  *界面 ,  正規化 ,  *深さプロフィル ,  高速度 ,  *分解能
準シソーラス用語： 強度分布 ,  表面濃度 ,  *深さ分解能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 深さ分解能 ,  MRIモデル ,  優先スパッタリング ,  スパッタ ,  深さプロファイリング ,  表面組成

分類 (2件)： 電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  スパッタリング  (BK16110U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 界面 ,  深さプロフィリング ,  深さ分解能 ,  スパッタリング