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J-GLOBAL ID：201702264994602553   整理番号：17A0143901

高電力応用のためのHPF/LPFスイッチング概念に基づくGaN SPST MMICスイッチ【Powered by NICT】

GaN SPST MMIC switches based on HPF/LPF switching concept for high power applications

著者 (3件)： Mizutani Hiroshi (Salesian Polytechnic, Tokyo, Japan) ,  Ishikawa Ryo (Graduate School of Informatics and Engineering, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan) ,  Honjo Kazuhiko (Graduate School of Informatics and Engineering, The University of Electro-Communications, Tokyo, Japan)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EuMC  ページ： 691-694  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,高出力応用のためのHPF/LPFスイッチング概念に基づいて実証GaN SPST MMICスイッチを述べた。開発したMMICスイッチが2.4以下のGHz2dB以上の挿入損失をもつ80dB以上の高い分離を示した。有効チップサイズは1.15×1.58mm~2であった。挿入損の測定されたP1dBは31.3dBmである。分離は大信号入力に対して約40dBの小信号動作で約80dBからの入力パワーに対して変化した。可能な原因は静電容量の平均FETの変化である。HPF/LPFスイッチング概念とこのMMICスイッチは低コストで高電力処理能力を持つ新しいスイッチ製品を提供することを約束する。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *MMIC ,  電力応用 ,  スループット ,  *スイッチ ,  *スイッチング ,  静電容量 ,  *窒化ガリウム ,  挿入損
準シソーラス用語： *高電力 ,  大信号 ,  チップサイズ ,  高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電力応用 ,  HPF ,  LPF ,  スイッチング ,  概念 ,  GaN ,  MMIC