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J-GLOBAL ID：201702265088949108   整理番号：17A0617125

第一原理計算によるI-M₈Ga₁₆Sn₃₀(M=Ba,Sr.Yb)の電子構造

Electronic Structure of I-M₈Ga₁₆Sn₃₀ (M=Ba, Sr, Yb) by First-Principles Calculation

著者 (7件)： WANG Jin-Song (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  LIU Hong-Xia (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  DENG Shuping (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  LI De-Cong (Yunnan Open Univ., Kunming, CHN) ,  SHEN Lan-Xian (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  CHENG Feng (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN) ,  DENG Shu-Kang (Yunnan Normal Univ., Kunming, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 5  ページ： 2880-2885  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 包接化合物は,一般に高電気伝導率,低熱伝導率などの特性を持つが,特にタイプI Snベースの包接化合物はSeebeck係数も優れているため,熱電材料として活発に研究されている。本論文では,第一原理計算に基づき,各種のゲスト原子を持つSnベースの包接化合物の構造及び電気特性に及ぼすゲスト電子の影響について調べた結果を報告した。対象とした包接化合物の組成はM₈Ga₁₆Sn₃₀であり,Mはゲスト原子でBa,Sr,およびYbを用いた。

シソーラス用語： *熱電材料 ,  *包接化合物 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  輸送係数 ,  *電子構造 ,  計算 ,  第一原理 ,  スズ ,  スズ化合物 ,  ガリウム化合物
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  第一原理計算

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理計算 ,  Sr ,  Yb ,  電子構造