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J-GLOBAL ID：201702265264561228   整理番号：17A0617122

高圧手法により合成したYbドープBa₈Ni_0.1Zn_0.54Ga_13.8Ge_31.56タイプI包接化合物の熱電性能

Thermoelectric Performance of Yb-Doped Ba₈Ni_0.1Zn_0.54Ga_13.8Ge_31.56 Type-I Clathrate Synthesized by High-Pressure Technique

著者 (4件)： CHEN Chen (Yanshan Univ., Hebei, CHN) ,  ZHANG Long (Yanshan Univ., Hebei, CHN) ,  DONG Jianying (Yanshan Univ., Hebei, CHN) ,  XU Bo (Yanshan Univ., Hebei, CHN)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 5  ページ： 2860-2866  発行年： 2017年05月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： タイプI包接化合物は,排熱回収用途の有望な熱電材料であるが,更なる性能指数の向上が必要である。本論文は,YbドープBa_8-xYb_xNi_0.1Zn_0.54Ga_13.8Ge_31.56(0≦x≦0.5)タイプ1包接化合物を,高圧高温手法を用いて合成し,放電プラズマ焼結によって圧縮した。Yb濃度の増加に従って電気抵抗と格子熱伝導率は低下したが,Seebeck係数はYbドーピングに影響されなかった。結果として,x=0.3の場合,900Kにおいて性能指数がYbフリーに比べて15%(0.91)向上した。

シソーラス用語： *熱電材料 ,  廃熱回収 ,  *包接化合物 ,  性能指数 ,  化学合成 ,  放電プラズマ焼結 ,  輸送係数 ,  *イッテルビウム添加合金
準シソーラス用語： 熱電性能指数 ,  高温高圧合成 ,  Seebeck係数

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (6件)： 高圧 ,  手法 ,  Yb ,  ドープ ,  タイプ ,  包接化合物