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J-GLOBAL ID：201702266478214902   整理番号：17A0362495

優れたESD能力をもつ200V高速回復エピタキシャルダイオード【Powered by NICT】

200V Fast Recovery Epitaxial Diode with superior ESD capability

著者 (13件)： Irace A. (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy) ,  Maresca L. (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy) ,  Mirone P. (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy) ,  Riccio M. (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy) ,  Breglio G. (Dept. of Electrical Engineering and Information Technologies, University Federico II, Naples, Italy) ,  Bellemo L. (Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy) ,  Carta R. (Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy) ,  Naretto M. (Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy) ,  El Baradai N. (Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy) ,  Para I. (Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy) ,  Para I. (DISAT Dept. of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, Italy) ,  Di Santo N. (Vishay Semiconductor Italiana, Borgaro, Torinese (TO), Italy) ,  Di Santo N. (DISAT Dept. of Applied Science and Technology, Politecnico di Torino, Italy)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 440-446  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,200Vの高速回復エピタキシャルダイオード(FRED)の静電放電(ESD)能力は,適切な実験,TCADシミュレーションと理論解析により解析した。異なるドーピングプロファイルは標準的素子のESDロバスト性を改善するために研究し,最適化されたドーピングプロファイルを提案した。新たに作製した素子は,順方向電圧降下におけるいかなる有意な損失せずに非常に高いESD能力とデバイス評価に影響を与えないことを破壊電圧の減少を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： シミュレーション ,  ロバスト性 ,  最適化 ,  *高速度 ,  電圧降下
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  ドーピングプロファイル ,  理論解析 ,  TCAD ,  静電気放電 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 高速回復エピタキシャルダイオード ,  ESD ,  衝突イオン化 ,  電流フィラメンテーション

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： ESD ,  能力 ,  回復 ,  エピタキシャル ,  ダイオード