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J-GLOBAL ID：201702267456854681   整理番号：17A0748327

‘凍結’試料のSIMS深さプロファイリング:究極の深さ分解能領域の探索【Powered by NICT】

SIMS depth profiling of ‘frozen’ samples: in search of ultimate depth resolution regime

著者 (6件)： Kudriavtsev Y. (Departamento Ingenieria Electrica - SEES, Cinvestav-IPN, Mexico City, Mexico) ,  Hernandez A. (Departamento Ingenieria Electrica - SEES, Cinvestav-IPN, Mexico City, Mexico) ,  Asomoza R. (Departamento Ingenieria Electrica - SEES, Cinvestav-IPN, Mexico City, Mexico) ,  Gallardo S. (Departamento Fisica, Cinvestav-IPN, Mexico City, Mexico) ,  Lopez M. (Departamento Fisica, Cinvestav-IPN, Mexico City, Mexico) ,  Moiseev K. (Ioffe Physic-Technical Institute, S-Petersburg, Russia)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 49  号： 2  ページ： 145-148  発行年： 2017年 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なる標的温度におけるIII-V族ヘテロ構造の二次イオン質量分析深さプロファイリング分析を行い,試料温度が 150°Cに低下すればイオンスパッタリングによる表面偏析と表面粗さの両方を根本的に減少できることを見出した。’凍結’試料の深さプロファイリングは,化合物半導体の超低エネルギー深さプロファイリングのための試料回転と酸素フラッディングへの良好な代替品である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： フラッディング ,  化合物半導体 ,  *凍結 ,  イオンビームスパッタリング ,  *深さプロフィル ,  表面偏析 ,  酸素
準シソーラス用語： 低エネルギー ,  ヘテロ構造 ,  *深さ分解能 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SIMS ,  深さ分解能 ,  表面粗さ ,  表面偏析

分類 (1件)： 固体の表面構造一般  (BK15010E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 凍結 ,  試料 ,  SIMS ,  深さプロファイリング ,  深さ分解能 ,  探索