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J-GLOBAL ID：201702268365853611   整理番号：17A0390066

サファイア,Siおよびグラフェン(Cu上)上のMoS₂膜のレーザ物理蒸着による成長に対する基板効果

Substrate Effects on Growth of MoS₂ Film by Laser Physical Vapor Deposition on Sapphire, Si and Graphene (on Cu)

著者 (3件)： JAGANNADHAM K. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  CUI J. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  ZHU Y. (North Carolina State Univ., NC, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 46  号： 2  ページ： 1010-1021  発行年： 2017年02月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板上に堆積したMoS₂膜は(0002)配向を有するエピタキシャル成長であったが,S欠損およびMoO₃とMo₄O₁₁相を伴っていた。サファイア基板からのOとMoの反応が界面におけるMoOの形成の原因となった。膜の厚さは堆積時間によって制御した。過剰なMoおよびSの欠損は,電気伝導度の低い活性化エネルギーの原因と推定した。Si上に堆積したMoS₂膜も,過剰のMoを有する(0002)配向のエピタキシャル成長であった。酸化物相は存在しなかったが,MoSi₂の形成をXPSで見出した。MoSi₂はMoとSiとの相互作用の結果であった。Cu基板上には15分間の堆積の後でさえ,MoS₂膜は形成されなかった。グラフェン上に堆積したMoS₂膜は特徴的なラマンピークを示し,グラフェンに関連するピークは大きな蛍光バックグラウンドにより抑制された。グラフェンとMoS₂との相互作用は,XPSの結果では明白ではなかった。サファイア,SiおよびCu上のグラフェン上に堆積した膜からのEDSスペクトルおよびX線マップは,MoとSおよび低酸素不純物の均一な分布を示した。

シソーラス用語： *物理蒸着 ,  *硫化モリブデン ,  *基板 ,  *ウエハ【IC】 ,  *グラフェン ,  酸化モリブデン ,  サファイア ,  ケイ化モリブデン ,  エピタクシー
準シソーラス用語： *Si基板 ,  エピタキシャル成長 ,  *サファイア基板 ,  二ケイ化モリブデン ,  *二硫化モリブデン

分類 (2件)： 硫化鉱物  (DE08040L) ,  気相めっき  (WC08022K)

タイトルに関連する用語 (9件)： サファイア ,  Si ,  グラフェン ,  Cu ,  MoS2 ,  レーザ ,  物理蒸着 ,  成長 ,  基板効果