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J-GLOBAL ID：201702269490829017   整理番号：17A0548181

Ag(111)表面上でのSi成長と超高真空ラマン分光法による評価

著者 (10件)： 小川晃平 (関西学院大 理工) ,  鈴木利明 (ユニソク) ,  上村奨平 (関西学院大 理工) ,  堂島大地 (関西学院大 理工) ,  中辻寛 (東京工大) ,  平山博之 (東京工大) ,  金子忠昭 (関西学院大 理工) ,  尾崎幸洋 (関西学院大 理工) ,  日比野浩樹 (関西学院大 理工) ,  日比野浩樹 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 64th  ページ： ROMBUNNO.14p-P4-63  発行年： 2017年03月01日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 銀 ,  *ケイ素 ,  *薄膜成長 ,  超高真空 ,  Raman分光法 ,  走査型トンネル顕微鏡 ,  スパッタ蒸着 ,  ナノ構造 ,  *表面増強Raman分光法 ,  格子 ,  周期構造
準シソーラス用語： Ag ,  Si ,  スパッタリング蒸着 ,  シリセン ,  *チップ増強Raman分光法 ,  蜂の巣格子

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  無機化合物の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08063C)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ag ,  Si ,  成長 ,  超高真空 ,  ラマン分光法 ,  評価