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J-GLOBAL ID：201702272355970490   整理番号：17A0323173

徐冷パターンを有する電子ビーム融解によるmc-SiにおけるSiC堆積作用と炭素移動【Powered by NICT】

SiC sedimentation and carbon migration in mc-Si by election beam melting with slow cooling pattern

著者 (12件)： Qin Shiqiang (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Qin Shiqiang (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Jiang Dachuan (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Jiang Dachuan (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Li Pengting (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Li Pengting (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Shi Shuang (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Shi Shuang (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China) ,  Guo Xiaoliang (New Energy Materials and Technology Institute Co., Ltd. of Dalian University of Technology (Qingdao), Qingdao 266000, China) ,  An Guangye (New Energy Materials and Technology Institute Co., Ltd. of Dalian University of Technology (Qingdao), Qingdao 266000, China) ,  Tan Yi (School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116023, China) ,  Tan Yi (Key Laboratory for Solar Energy Photovoltaic System of Liaoning Province, Dalian 116023, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 53  ページ： 1-7  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光起電力産業の発展は大量多結晶シリコンのを必要とする。太陽電池に大きな悪影響を起こす可能性があるシリコン中の炭素とSiCは,限られた量の中に含まれる必要がある。徐冷パターンと電子ビーム融解(EBM)によるシリコン中の炭素とその析出SiCの挙動を本研究で調べた。SiCはEBM後のインゴット底部にsedimentateことが分かった。Si_3N_4の存在は連続的に核生成するSiCの不均一核形成剤であることができ,それらの両方は,インゴット底部に析出した。遅い凝固条件,温度勾配と融液対流の包括的効果は,SiCの沈降を引き起こす。も酸素が溶解した炭素の移動に重要な役割を果たすことが分かった。酸素はシリコン融液からEBM中の真空環境にできるので,炭素-酸素複合体の形成は,インゴット頂部に移動する傾向がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *炭素 ,  酸素 ,  インゴット ,  *電子ビーム融解 ,  温度勾配 ,  光起電力 ,  *ケイ素 ,  核形成 ,  *炭化ケイ素 ,  ポリシリコン ,  太陽電池 ,  *徐冷 ,  太陽 ,  凝固 ,  融液

著者キーワード (4件)： 炭化けい素 ,  シリコン ,  太陽エネルギー材料 ,  電子ビーム融解

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (7件)： 徐冷 ,  電子ビーム融解 ,  MC ,  Si ,  SiC ,  堆積作用 ,  炭素