文献

J-GLOBAL ID：201702272649375541   整理番号：17A0313225

電力用半導体素子断面積のドーパントイメージング【Powered by NICT】

Dopant imaging of power semiconductor device cross sections

著者 (10件)： Gysin U. (Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland) ,  Meyer E. (Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland) ,  Glatzel Th. (Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland) ,  Guenzburger G. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Hahn-Meitner-Platz 1, 14109 Berlin, Germany) ,  Rossmann H.R. (Laboratory for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, 5232 Villigen PSI, Switzerland) ,  Jung T.A. (Department of Physics, University of Basel, 4056 Basel, Switzerland) ,  Jung T.A. (Laboratory for Micro- and Nanotechnology, Paul Scherrer Institute, 5232 Villigen PSI, Switzerland) ,  Reshanov S. (Ascatron AB, Electrum 207, 16440 Kista, Sweden) ,  Schoner A. (Ascatron AB, Electrum 207, 16440 Kista, Sweden) ,  Bartolf H. (ABB Switzerland Ltd, Corporate Research, 5405 Baden-Daettwil, Switzerland)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 160  ページ： 18-21  発行年： 2016年07月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： いくつかの走査型プローブ顕微鏡(SPM)法は半導体試料の10~19cm~ 3~10~14cm~ 3の範囲で画像ドーパントプロフィルを可能にした。本研究では,シリコン(Si)と炭化ケイ素(SiC)パワーデバイスとエピタキシャル成長させたキャリブレーション層の断面積で行った走査型容量力顕微鏡(SCFM)とKelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)実験を提示した。接触電位差(CPD)は表面欠陥状態の減少した影響を照明下で示した。添加では,これらの顕微鏡法の数値シミュレーションの結果を論じた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 接触電位差 ,  走査型プローブ顕微鏡 ,  *電力 ,  表面欠陥 ,  *半導体 ,  走査 ,  *半導体素子 ,  照明 ,  画像 ,  力顕微鏡 ,  *断面積 ,  顕微鏡観察 ,  炭化ケイ素
準シソーラス用語： 数値シミュレーション ,  パワーデバイス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ドーパントイメージング ,  走査型プローブ顕微鏡(SPM) ,  パワー半導体デバイス ,  炭化けい素

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 半導体素子 ,  断面積