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J-GLOBAL ID：201702274848188884   整理番号：17A0352440

シリコン-オン-絶縁体ナノワイヤアレイ導波路格子のクロストーク解析【Powered by NICT】

Crosstalk analysis of silicon-on-insulator nanowire-arrayed waveguide grating

著者 (9件)： Li Kaili (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  An Junming (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhang Jiashun (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Yue (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wang Liangliang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Jianguang (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Wu Yuanda (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Yin Xiaojie (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences) ,  Hu Xiongwei (Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Chinese Physics B  (Chinese Physics B)
巻： 25  号： 12  ページ： 124209-1-124209-6  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1539A  ISSN： 1674-1056  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン・オン・インシュレータのクロストークに影響する因子(SOI)ナノワイヤアレイ導波路格子(AWG)は,伝達関数法を用いて解析した。分析は,アレイ導波路の部外者破壊,およびより大きなチャネル空間,広く,厚いアレイ導波路は,クロストークの劣化を軽減することができることを示した。異なるアレイ導波路幅のSOIナノワイヤAWGは深紫外リソグラフィー(DUV)と誘導結合プラズマエッチング(ICP)技術を用いて作製した。測定結果は,クロストーク性能を800nmアレイ導波路幅を採用することにより約7dB改善されることを示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  電磁結合 ,  チャネル ,  プラズマエッチング ,  *クロストーク ,  リソグラフィー ,  *絶縁材料 ,  伝達関数 ,  *絶縁体
準シソーラス用語： 位相誤差 ,  深紫外線 ,  *アレイ導波路 ,  *アレイ導波路格子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： SOI ,  ナノワイヤAWG ,  クロストーク ,  位相誤差

分類 (3件)： 雑音測定  (ND04030F) ,  プリント回路  (NA05040O) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  絶縁体 ,  ナノワイヤ ,  アレイ導波路格子 ,  クロストーク ,  解析