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J-GLOBAL ID：201702275245400462   整理番号：17A0403091

Bi_2Te_3上に成長させたテルル薄膜の成長と原子構造【Powered by NICT】

Growth and atomic structure of tellurium thin films grown on Bi₂Te₃

著者 (5件)： Okuyama Yuma (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Sugiyama Yuya (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan) ,  Ideta Shin-ichiro (UVSOR Facility, Institute for Molecular Science, Okazaki 444-8585, Japan) ,  Tanaka Kiyohisa (UVSOR Facility, Institute for Molecular Science, Okazaki 444-8585, Japan) ,  Hirahara Toru (Department of Physics, Tokyo Institute of Technology, Tokyo 152-8551, Japan)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 398  ページ： 125-129  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Bi_2Te_3に及ぼすテルル(Te)薄膜を成長させ,原子構造を調べた。低エネルギー電子回折(LEED)測定から,Te膜は六つのドメインに配向した[101 0]であることを見出した。反射高エネルギー電子回折(RHEED)パターンの詳細な分析は,膜がTeとBi_2Te_3間のエピタクシーによるバルクの値に比較して~1.5%圧縮面内格子定数を持つ歪んでいることを明らかにした。これらの膜は歪んだTeで起こることを予測したトポロジカル相を研究するための興味ある系である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低速電子回折 ,  *テルル ,  RHEED ,  *薄膜 ,  エピタクシー ,  *原子構造 ,  格子定数 ,  *ビスマス ,  トポロジカル相

著者キーワード (4件)： テルル ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長 ,  歪を受ける

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 成長 ,  テルル ,  薄膜 ,  原子構造