文献

J-GLOBAL ID：201702275872999952   整理番号：17A0665227

低圧化学気相蒸着によるサーモクロミックVO_2薄膜の低温作製【Powered by NICT】

Low temperature fabrication of thermochromic VO₂ thin films by low-pressure chemical vapor deposition

著者 (9件)： Guo Beibei (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Chen Lanli ,  Shi Siqi ,  Ishaq Ahmad ,  Wan Dongyun ,  Chen Zhang ,  Zhang Liangmiao ,  Luo Hongjie ,  Gao Yanfeng
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 18  ページ： 10798-10805  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： VO_2(M)は,スマート窓とスイッチング素子における将来の応用のために最も可能性を有する材料として特に興味がある。しかし,多くの欠点を克服する必要がある,現行の合成技術と低サーモクロミック特性の高い処理温度を含む。バナジウム(iii)アセチルアセトナート前駆体を用いた低圧化学蒸着(LPCVD)に基づいた400°C以下の低温で高速サーモクロミックVO_2薄膜の作製について報告した。プロセスパラメータの適切な調整は,厚さ制御可能な高結晶性VO_2膜を作製するのに重要であることが分かった。~62nm厚VO_2膜では,52.3%(400°Cでアニールした)と52.7%(350°Cでアニールした)の可視透過率が得られた。対応する太陽エネルギー改質能力(ΔT_sol)は9.7%と7.1%であり,転移温度は45.1°Cと50.9°Cであった。基礎を成す微視的機構を第一原理計算によって研究し,得られた結果は,低い転移温度を含む,改善された性能はアニーリング温度を適切に制御することにより達成され,歪と酸素空格子点の複合効果に帰することができることを示した。プレ成長シード層の初期使用は,高速結晶粒成長,堆積およびアニーリング温度を325°Cまでさらにのために有利であるCopyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 結晶度 ,  *低温 ,  LPCVD ,  *低圧 ,  透過率 ,  スイッチング素子 ,  結晶成長 ,  太陽エネルギー ,  プロセスパラメータ ,  *薄膜 ,  転移温度
準シソーラス用語： シード層 ,  酸素空格子点 ,  アニーリング温度 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低圧 ,  化学 ,  気相蒸着 ,  薄膜 ,  低温 ,  作製