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J-GLOBAL ID：201702278982464541   整理番号：17A0151803

バイアス空間におけるCMOS FET劣化のマッピング: DRAM周辺デバイスへの応用

Mapping of CMOS FET degradation in bias space-Application to dram peripheral devices
著者 (12件)：
Kaczer B.

Kaczer B. について

(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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Franco J.

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(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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Tyaginov S.

Tyaginov S. について

(TU Vienna, Gusshausstrasse 27-29, Vienna A-1040, Austria and Ioffe Institute, Saint-Petersburg 194021, Russia)

TU Vienna, Gusshausstrasse 27-29, Vienna A-1040, Austria and Ioffe Institute, Saint-Petersburg 194021, Russia について

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Jech M.

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(TU Vienna, Gusshausstrasse 27-29, Vienna A-1040, Austria)

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Rzepa G.

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(TU Vienna, Gusshausstrasse 27-29, Vienna A-1040, Austria)

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Grasser T.

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(TU Vienna, Gusshausstrasse 27-29, Vienna A-1040, Austria)

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O’Sullivan B. J.

O’Sullivan B. J. について

(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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Ritzenhaler R.

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(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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Schram T.

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(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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Spessot A.

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(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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Linten D.

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(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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Horiguchi N.

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(imec, Kapeldreef 75, Leuven B-3001, Belgium)

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資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena について


巻： 35  号： 1  ページ： 01A109-01A109-6  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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nチャネル及びpチャネル電界効果トランジスタ,特にダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)周辺デバイスの全ての劣化モードのマッピング及び可視化を,相補型金属酸化膜半導体(CMOS)動作に適用可能な(VG,VD)バイアス空間で行った。この「オールインワン」手法により,バイアス温度の不安定性,ホットキャリアの劣化,オフ状態のストレス,それらの間の遷移など,あらゆる劣化レジームを追跡して,同時に調べることができる。これは,すべての劣化レジームを同時に比較して確認し,各技術オプションの「弱点」を迅速に特定でき,新しい超大規模集積回路技術開発に有益である。また,後で適切な基準(電圧またはフィールド)を選択し,必要に応じてデータを後処理することもできる。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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*FET【トランジスタ】

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超LSI

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バイアス

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*CMOS構造

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温度依存性

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不安定性

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*DRAM

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半導体集積回路

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準シソーラス用語：
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ゲート電圧

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ドレイン電圧

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CMOS回路

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分類 (2件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

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,  半導体集積回路 
(NC03162T)

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タイトルに関連する用語 (7件)：
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FET

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マッピング

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DRAM

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応用

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