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J-GLOBAL ID：201702279261605743   整理番号：17A0697151

種々の基板上の直流外部バイアス下で蒸着したZnO薄膜の結晶極性【Powered by NICT】

Crystalline polarity of ZnO thin films deposited under dc external bias on various substrates

著者 (15件)： Ohsawa Takeo (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Ohsawa Takeo (NIMS Saint-Gobain Research Center of Excellence for Advanced Materials, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Tsunoda Kei (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Tsunoda Kei (Graduate School of Science and Engineering, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584, Japan) ,  Dierre Benjamin (NIMS Saint-Gobain Research Center of Excellence for Advanced Materials, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Zellhofer Caroline (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Grachev Sergey (NIMS Saint-Gobain Research Center of Excellence for Advanced Materials, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Grachev Sergey (Surface du Verre et Interfaces, UMR 125, CNRS/Saint-Gobain Recherche, 39 quai Lucien Lefranc, F-93303 Aubervilliers Cedex, France) ,  Montigaud Herve (NIMS Saint-Gobain Research Center of Excellence for Advanced Materials, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Montigaud Herve (Surface du Verre et Interfaces, UMR 125, CNRS/Saint-Gobain Recherche, 39 quai Lucien Lefranc, F-93303 Aubervilliers Cedex, France) ,  Ishigaki Takamasa (Graduate School of Science and Engineering, Hosei University, Koganei, Tokyo 184-8584, Japan) ,  Ohashi Naoki (National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Ohashi Naoki (NIMS Saint-Gobain Research Center of Excellence for Advanced Materials, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, Japan) ,  Ohashi Naoki (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University, 6-1 Kasuga-kouen, Kasuga, Fukuoka 816-8580, Japan) ,  Ohashi Naoki (Materials Research Center for Element Strategy (MCES), Mailbox SE-6, Tokyo Institute of Technology, 4259 Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-0026, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 463  ページ： 38-45  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スパッタリングにより堆積させたZnO膜の構造と特性に及ぼす,結晶性または非晶質,基板の性質の影響を調べた。結晶極性,すなわち,Zn面またはO面,および得られた膜特性の制御におけるマグネトロンスパッタリング堆積中の基板に印加した外部電気バイアスの役割に焦点を当てた。極性制御はシリカ及びシリコン基板上にではなくサファイア基板上に達成されたことが分かった。基板バイアスが構造形成における格子パラメータに影響を及ぼしていた;が,基板の種類の選択は,欠陥構造と膜特性に大きな影響を与えた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *結晶 ,  結晶度 ,  二酸化ケイ素 ,  *極性 ,  構造形成 ,  非晶質 ,  *バイアス ,  スパッタリング ,  格子定数 ,  *亜鉛 ,  *酸化亜鉛
準シソーラス用語： 基板バイアス ,  サファイア基板 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Oxides ,  半導性II-VI材料 ,  欠陥 ,  極性 ,  X線光電子放出分光法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 直流 ,  蒸着 ,  ZnO薄膜 ,  結晶 ,  極性