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J-GLOBAL ID：201702279318699366   整理番号：17A0512505

組込高速ダイオードを備えた第2世代低損失SJ-MOSFET ”Super J MOS S2FDシリーズ ”

2nd-Generation Low Loss SJ-MOSFET with Built-In Fast Diode “Super J MOS S2FD Series”

著者 (3件)： WATANABE Sota (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  SAKATA Toshiaki (Fuji Electric Co., Ltd.) ,  YAMASHITA Chiho (Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 62  号： 4  ページ： 275-279  発行年： 2016年12月30日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エネルギーの効率的な使用のため,電力変換装置における効率強化のための増加する要求があり,そのような装置に搭載するパワーMOSFETは小型,低損失,低ノイズが要求される。低減したオン抵抗とターンオフスイッチング損失とサージ電圧の間のトレードオフを改善する製品を開発してきたが,最近,第2世代の低損失SJ-MOSFET ”Super J MOS S2FD シリーズ ”を開発し,その特徴は組込高速ダイオードを通した逆回復耐量の改善による使い易さと低損失であった。この製品の使用は電力変換装置の効率を改善し,製品の小型化を容易にする期待される。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ダイオード ,  *組込みシステム ,  *電力変換器 ,  *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  オン抵抗 ,  電圧 ,  スイッチング損失
準シソーラス用語： サージ電圧 ,  *パワーMOSFET ,  *電力変換装置

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

引用文献 (10件)：

• Fujihira, T. “Theory of Semiconductor Superjunction Devices”. Jpn. J. Appl. Phys., 1997, vol.36, p.6254-6262.
• Deboy, G. et al. “A New Generation of High Voltage MOSFETs Breaks the Limit Line of Silicon”. Proc. IEDM, 1998, p.683-685.
• Onishi, Y. et al. “24 m・cm2 680 V Silicon Superjunction MOSFET”. Proc. ISPSD' 02, 2002, p.241-244.
• Saito, W. et al. “A 15.5 m・cm2- 680 V Superjunction MOSFET Reduced On-Resistance by Lateral Pitch Narrowing”. Proc. ISPSD' 06, 2006, p.293-296.
• Oonishi, Y. et al. Superjunction MOSFET. FUJI ELECTRIC REVIEW. 2010, vol.56, no.2, p.65-68.

タイトルに関連する用語 (6件)： 組込 ,  ダイオード ,  世代 ,  低損失 ,  MOSFET ,  MOS