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J-GLOBAL ID：201702279647795853   整理番号：17A0362497

高温逆バイアスストレス下のパワーダイオードの寿命と加速モデル化の終り【Powered by NICT】

End of life and acceleration modelling for power diodes under high temperature reverse bias stress

著者 (4件)： Schilling O. (Infineon Technologies AG, Max-Planckstrasse 5, 59581 Warstein, Germany) ,  Leitner K. (Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germany) ,  Schulze K.-D. (Infineon Technologies AG, Wernerwerkstrasse 2, 93049 Regensburg, Germany) ,  Umbach F. (Infineon Technologies AG, Am Campeon 1-12, 85579 Neubiberg, Germany)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 458-463  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,パワーエレクトロニクスにおける寿命モデル化の重要性の増大が動機となっている。異なるストレス条件でパワーダイオードの強く加速された高温逆バイアス(HTRB)試験を実施した変化と疲労機構を明らかになった。効果の二カテゴリーを分離することができる:漂流絶縁破壊電圧と故障阻止能力の完全な消失を伴っていた。それにもかかわらず破壊故障を引き起こすのに必要な全体的な応力期間はほぼ230°Cと100%定格電圧でも試験期間>2500hという非常に高いものである。両機構に対して温度および電圧加速要因を評価した。特に温度加速は200°Cと230°Cの間の試験の領域において有意で>1eV領域における活性化エネルギーE_aは文献で一般に報告されている値に比べてより大きく,推定することができた。故障解析パッケージとチップ関連効果の両方は,極端な条件下でHTRB応力で観察された硬質障害に寄与する可能性があることを示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  *モデリング ,  故障 ,  故障解析 ,  パワーエレクトロニクス ,  電圧 ,  *高温 ,  硬質 ,  漂流
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  *逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (10件)： 高温逆バイアス ,  絶縁破壊電圧 ,  温度加速 ,  電圧加速 ,  Arrhenius則 ,  活性化エネルギー ,  線形V模型 ,  Weibull分布 ,  電気フラッシュオーバ ,  寿命モデル化の終り

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 逆バイアス ,  ストレス ,  パワー ,  ダイオード ,  寿命 ,  加速 ,  モデル化