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J-GLOBAL ID：201702280549633755   整理番号：17A0704665

不斉異性化N フェニルカルバゾール部分を含む機能性ポリイミドの電気抵抗メモリ挙動を調整するための効率的な戦略【Powered by NICT】

Asymmetric isomerization: an efficient strategy to tune the electrical resistive memory behaviors of functional polyimides containing N-phenylcarbazole moieties

著者 (6件)： Jia Nanfang (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China. [e-mail]) ,  Tian Guofeng ,  Qi Shengli ,  Cheng Junhao ,  Wang Xiaodong ,  Wu Dezhen
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 38  ページ： 23550-23559  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 記憶挙動に及ぼす空間構造の影響を明らかにするために,電気的メモリ応用のための,PI 3,6 ダプクズ 6FDA,PI-3-4,4′-DAPCz 6FDA,PI-2′,4′-DAPCz 6FDA,三つの異性体ポリイミド(PI)を設計し,合成した。電流-電圧特性は三種の異性体PIsは大きく逸脱した記憶効果を示すことが分かった。PI 3,6 ダプクズ 6FDAとPI-3-4,4′-DAPCz 6FDAは両揮発性スタティックランダムアクセスメモリ(SRAM)挙動を示したが,PI-2′,4′-DAPCz 6FDAは読取り多数回(WORM)メモリ特性を一度不揮発性記録を示した。記憶効果に関連する機構を分子シミュレーション結果に基づいて解析した。PI 3,6 ダプクズ 6FDAは最良の構造共平面性,電荷移動(CT)及び逆CT過程を容易にするが,これを有し,揮発性SRAM特徴をもたらした。しかし,PI-2′,4′-DAPCz 6FDAはねじり構造,バックCT過程を阻害することを示し,その不揮発性挙動を説明した。さらに,三つの異性体PIsは高速過渡応答を示した。結果は高分子メモリの空間構造の重要性と異性化による記憶タイプを調整することの実行可能性を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 揮発性 ,  電流 ,  *異性化 ,  SRAM ,  立体構造 ,  平坦性 ,  *ポリイミド ,  過渡応答 ,  *記憶装置 ,  電荷移動 ,  記憶効果 ,  高分子 ,  非揮発性 ,  異性体
準シソーラス用語： WORM , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 異性化 ,  機能性 ,  ポリイミド ,  電気抵抗 ,  挙動 ,  戦略