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J-GLOBAL ID：201702283378282992   整理番号：17A0702836

強誘電性AlドープHfO_2/HfO_2ゲート誘電体スタックにおける負性容量効果によるMoS_2トランジスタにおけるサブしきい値スイングの改善【Powered by NICT】

Subthreshold swing improvement in MoS₂ transistors by the negative-capacitance effect in a ferroelectric Al-doped-HfO₂/HfO₂ gate dielectric stack

著者 (5件)： Nourbakhsh Amirhasan (Department of Electrical Engineering and Computer Sciences, Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, Massachusetts 02139, USA. [e-mail]) ,  Zubair Ahmad ,  Joglekar Sameer ,  Dresselhaus Mildred ,  Palacios Tomas
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 9  号： 18  ページ： 6122-6127  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電(FE)材料における負性容量(NC)効果を利用した熱電子限界は60mV dec~ 1以下のサブしきい値スイング(SS)の電界効果トランジスタ(FET)の電源電圧と低消費電力化を可能にする新しい効果的な技術である。同時に,二硫化モリブデン(MoS_2)のような,二次元層状半導体は,サブ5nmチャネル技術ノードにおけるシリコンMOSFETを代替する有望な候補であることが示されている。本論文では,FETゲートスタックにおける,技術的適合材料,強誘電AlドープHfO_2(Al:HfO_2)を組み込むことによってNC MoS_2FETを実証した。Al:HfO_2薄膜を原子層堆積によりSiウエハ上に堆積した。1.25倍まで電圧増幅はNi金属中間層を有するAl:HfO_2/HfO_2のFE二層スタックで観察された。FE二分子層上に構築されたNC MoS_2FETの最小SS(SS_min)は室温で57mV dec~ 1に改善した,ゲート誘電体としてHfO_2のみMoS_2FETのSS_min=67mV dec~ 1と比較した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 半導体 ,  *トランジスタ ,  *強誘電性 ,  電圧 ,  チャネル ,  *ドーピング ,  ニッケル ,  ケイ素 ,  *ゲート絶縁膜 ,  MOSFET
準シソーラス用語： 中間層 ,  シリコンウエハ ,  ゲートスタック ,  二硫化モリブデン ,  *サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 強誘電性 ,  Al ,  ドープ ,  ゲート誘電体 ,  スタック ,  負性容量 ,  トランジスタ ,  サブしきい値 ,  スイング