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J-GLOBAL ID：201702284785076498   整理番号：17A0402530

エピタキシャル横方向被覆成長させた半極性(11 22)GaN膜の結晶構造と光学的性質に及ぼすSiO_2六角形パターンの影響【Powered by NICT】

Effect of SiO₂ hexagonal pattern on the crystal and optical properties of epitaxial lateral overgrown semipolar (11-22) GaN film

著者 (7件)： Lee Jae-Hwan (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Han Sang-Hyun (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Song Ki-Ryong (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Ryou Jae-Hyun (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204-4006, USA) ,  Na Hyunseok (Department of Materials Science and Engineering, Daejin University, Pocheon-Si, Gyeonggi-do 11159, Republic of Korea) ,  Lee Sung-Nam (Department of Nano-Optical Engineering, Korea Polytechnic University, 15073 Siheung, Gyeonggi-do, Republic of Korea) ,  Lee Sung-Nam (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204-4006, USA)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 168  ページ： 32-36  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 異なるSiO_2六方晶パターン幅(6 15μm)と半極性(11 22)六方晶エピタキシャル横方向成長(HELO)GaN膜の光学的および結晶特性を調べた。SiO_2六角形パターン幅の増加により,半極性HELO GaN膜の合体と平坦化を達成することは困難である。,半極性(11 22)HELO GaN膜の表面平方自乗平均粗さは増加SiO_2六方晶パターン幅とともに増加した。SiO_2六角形パターン幅を用いて,[1 100]に対するX線ロッキング曲線(XRC)の半値全幅(FWHM)は1474 721arcsecから減少したが,[11 2 3]に対するXRCのFWHMは9μmに減少し,その後,SiO_2パターン幅(>12μm)とともに増加した。しかし,半極性HELO GaN膜のPL強度はSiO_2六方晶パターン幅とともに増加した。本研究の知見から,著者らは半極性(11 22)HELO GaN膜の光学的および結晶特性は,気泡の合体と平坦化ステップ中のGaNとSiO_2パターン間の摩擦のためSiO_2六方晶パターン幅によって大きく影響されるであろうと信じている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： FWHM ,  六方晶系 ,  実効値 ,  気泡 ,  *窒化ガリウム ,  X線 ,  *結晶構造 ,  MOCVD ,  結晶 ,  エピタクシー ,  ロッキングカーブ ,  光学的性質
準シソーラス用語： 平坦化 ,  *半極性 ,  *横方向成長 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaN ,  半極性 ,  ELO ,  X線 ,  MOCVD

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (7件)： エピタキシャル ,  横方向被覆成長 ,  半極性 ,  GaN ,  結晶構造 ,  光学的性質 ,  角形