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J-GLOBAL ID：201702285112104791   整理番号：17A0698252

効果的な水素発生反応のためのプラズマエッチ,Sドープグラフェン【Powered by NICT】

Plasma-etched, S-doped graphene for effective hydrogen evolution reaction

著者 (6件)： Tian Ye (College of Science, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Wei Zhen (College of Science, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Wang Xuejun (College of Science, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Peng Shuo (College of Information Science and Engineering, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Zhang Xiao (College of Information Science and Engineering, Hebei North University, Zhangjiakou 075000, Hebei, China) ,  Liu Wu-ming (Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： International Journal of Hydrogen Energy  (International Journal of Hydrogen Energy)
巻： 42  号： 7  ページ： 4184-4192  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0192B  ISSN： 0360-3199  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に効率的な無金属電極触媒としてのヘテロ原子ドープグラフェンは水素発生反応(HER)のためのPt系電極触媒への最も有望な代替として出現している。しかし,競合HER活性を持つヘテロ原子ドープグラフェンを開発する大きな課題となっている。,Sドープグラフェン上のトポロジー的欠陥を生成するプラズマエッチング法を使用する効果的な戦略を報告し,得られたプラズマエッチ,Sドープグラフェンは10mA cm~ 2の電流密度で178mVの過電圧を有する顕著に増進したHER活性を示した。Sドーピングとプラズマ誘起トポロジカル欠陥間の相乗結合は優れたHER性能に寄与していることを証明した。チオフェンS豊富な種と高いS-ドーピングレベルと適切な量のトポロジー的欠陥の組み合わせは,HER活性を最大化できることを示した。本研究でプラズマ支援欠陥工学とヘテロ原子ドーピングの成功した組み合わせは,HERに向けてのグラフェンベースの高効率無金属触媒を開発するための新しい経路を開く可能性がある。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 過電圧 ,  金属触媒 ,  白金 ,  *水素発生反応 ,  *プラズマ ,  *プラズマエッチング ,  触媒 ,  電流密度 ,  電極触媒
準シソーラス用語： 金属電極 ,  高効率 ,  ヘテロ原子 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 水素発生反応 ,  無金属電極触媒 ,  ヘテロ原子ドープグラフェン ,  Sドープグラフェン ,  プラズマエッチング

分類 (1件)： 電気化学反応  (CB07050F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 水素発生反応 ,  プラズマエッチ