文献

J-GLOBAL ID：201702285646198038   整理番号：17A0443973

水素化物半導体YH_3を用いてPd/Ni CoキャップされたY膜の低温および低H_2圧合成【Powered by NICT】

Low-temperature and low-H₂ pressure synthesis of hydride semiconductor YH_3- using Pd/Ni co-capped Y films

著者 (8件)： Yabuki K. (Division of Material Science, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan) ,  Hirama H. (Division of Material Science, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan) ,  Sakai M. (Division of Material Science, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan) ,  Saito Y. (Division of Material Science, Graduate School of Science and Engineering, Saitama University, Japan) ,  Higuchi K. (The Institute of Science and Industrial Research, Osaka University, Japan) ,  Kitajima A. (The Institute of Science and Industrial Research, Osaka University, Japan) ,  Hasegawa S. (The Institute of Science and Industrial Research, Osaka University, Japan) ,  Nakamura O. (Faculty of Engineering, Okayama University of Science, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 624  ページ： 175-180  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属YはH_2と反応して半導体相YH_3 を生成する温度(T)の減少を目的として,触媒としてPdおよびNiコキャッピング層を用い,PdまたはNi単キャッピング層を用いたときに得られたものと結果を比較した。三種類の触媒層でキャップされたこれらのY膜を電子ビーム蒸着により堆積し,H_2反応温度(T H 2)を変化させて20°Cから500°Cに続いて約3×10~3PaのH_2分圧での水素化Pd/Niコキャッピング材料は約50°CのT,はNiキャップ材料のそれよりも約40°C低いを示した。Pdキャップ材料に関しては,金属二水素化物相YH_2±は調べた全てのTH2で優勢であった。Gibbs自由エネルギーの観点から定量的研究は,対応するX線回折強度からYH_<0.21,YH_2±,YH_3相のモル濃度を評価することにより行った。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *パラジウム ,  *水素化 ,  *半導体 ,  X線回折 ,  *ニッケル ,  *低温 ,  電子ビーム蒸着 ,  Gibbs自由エネルギー ,  触媒 ,  分圧 ,  *水素化物
準シソーラス用語： 三相 ,  触媒層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： Y ,  YH_2 ,  YH_3 ,  水素 ,  触媒層 ,  Gibbs自由エネルギー ,  Pd ,  Ni

分類 (1件)： 金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 水素化物 ,  Pd ,  Ni ,  CO ,  キャップ ,  低温 ,  圧