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J-GLOBAL ID：201702285687772296   整理番号：17A0444964

添加した(TSV)Si貫通ビアの銅電着の数値モデル化と実験的検証【Powered by NICT】

Numerical modeling and experimental verification of copper electrodeposition for through silicon via (TSV) with additives

著者 (10件)： Xiao Hongbin (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China) ,  Xiao Hongbin (School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  He Hu (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China) ,  He Hu (School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Ren Xinyu (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China) ,  Ren Xinyu (School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Zeng Peng (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China) ,  Zeng Peng (School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) ,  Wang Fuliang (State Key Laboratory of High Performance Complex Manufacturing, Changsha 410083, China) ,  Wang Fuliang (School of Mechanical and Electrical Engineering, Central South University, Changsha 410083, China)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 170  ページ： 54-58  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ボイドと層は高アスペクト比のTSV満たすプロセスの間に容易に形成されるので,TSVの超充填を達成できる良い方法が熱心に必要である。本論文では,三種類の添加剤(加速器,抑制とレベラー)の影響に関してTSV充填の数値モデリングについて述べた。添加物の量と電流密度を変えることにより,三種類のシミュレーション結果が得られた:ピンチオフ効果,シーム内部充填モデルと「V」型充填モデルである。陰極表面に沿った電流密度の対応する分布を分析し,充填機構を検討した。さらに,添加物の存在下でのTSV充填実験は,提案した数値モデルを検証した。シミュレーション結果は実験結果とよく一致した。直径20μm,200μmの深さをもつTSVは,適切な条件で完全に充填した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *銅 ,  添加剤 ,  電流密度 ,  *電着 ,  加速器 ,  シミュレーション ,  矯正機 ,  ピンチオフ
準シソーラス用語： モールド充填 ,  数値モデリング ,  高アスペクト比 ,  *数値モデル ,  *シリコン貫通ビア , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Si貫通電極(TSV) ,  銅充填 ,  電着 ,  数値モデル化 ,  添加剤

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： TSV ,  Si貫通ビア ,  銅 ,  電着 ,  数値モデル ,  実験 ,  検証