文献

J-GLOBAL ID：201702287612342157   整理番号：17A0272360

超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ-(Ultra-low Energy Consumption High-Density VoCSM)-

Voltage-Control Spintronics Memory (VoCSM) Having Potentials of Ultra-Low Energy-Consumption and High-Density

著者 (16件)： 與田博明 (東芝 研究開発セ) ,  下村尚治 (東芝 研究開発セ) ,  大沢裕一 (東芝 研究開発セ) ,  白鳥聡志 (東芝 研究開発セ) ,  加藤侑志 (東芝 研究開発セ) ,  井口智萌 (東芝 研究開発セ) ,  上口裕三 (東芝 研究開発セ) ,  ALTANSARGAI Buyandalai (東芝 研究開発セ) ,  斉藤好昭 (東芝 研究開発セ) ,  鴻井克彦 (東芝 研究開発セ) ,  杉山英行 (東芝 研究開発セ) ,  及川壮一 (東芝 研究開発セ) ,  清水真理子 (東芝 研究開発セ) ,  石川瑞恵 (東芝 研究開発セ) ,  池上一隆 (東芝 研究開発セ) ,  黒部篤 (東芝 研究開発セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 448(SDM2016 130-138)  ページ： 25-28  発行年： 2017年01月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： TMR効果に加えて新しく二つのスピントロニクス原理を用いた電圧制御スピントロニクスメモリアーキテクチャを提案しました。このアーキテクチャでは,書込みビットの選択に電圧制御磁気異方性効果を,書込み原理としてスピンホール効果を用います。そのプロトタイプ記憶素子を開発し,独特な書込み方式の成立性を実証しました。(著者抄録)

シソーラス用語： *スピントロニクス ,  *Hall効果 ,  *電圧制御 ,  *磁気異方性 ,  トンネル効果 ,  磁気抵抗効果 ,  消費電力 ,  集積 ,  *記憶素子
準シソーラス用語： *スピンHall効果 ,  TMR効果 ,  超低消費電力 ,  高集積化

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (6件)：

• T. Nozaki, A. Kozio?-Rachwa?, W. Skowro?ski, V. Zayets, Y. Shiota, S. Tamaru, H. Kubota, A. Fukushima, S. Yuasa, and Y. Suzuki, ′′Large Voltage-Induced Changes in the Perpendicular Magnetic Anisotropy of an MgO-Based Tunnel Junction with an Ultrathin Fe Layer,′′ Phys. Rev. Applied., 044006 (2016)
• T. Kishi, H. Yoda, T. Kai, T. Nagase, E. Kitagawa, M, Yoshikawa, K. Nishiyama, T. Daibou, M. Nagamine, M. Amano, S. Takahashi, M. Nakayama, N. Shimomura, H. Aikawa, S. Ikegawa, S. Yuasa, K. Yakushiji, H. Kubota, A. Fukushima, M. Oogane, T. Miyazaki, and K. Ando, ′′Lower-current and Fast switching of A Perpendicular TMR for High Speed and High density Spin-Transfer-Torque MRAM,′′ IEDM 2008 digest,12-6.
• N. D. Rizzo, D. Houssameddine, J. Janesky, R. Whig, F.B. Mancoff, M. L. Schneider, M. DeHerrera, J.J. Sun, K. Nagel, S. Deshpande, H.-J. Chia, S. M,Alam, T. Andre, S. Aggarwal, and J. M. Slughter, ′′A Fully Functional 64 Mb DDR3 ST-MRAM Built on 90 nm CMOS Technology,′′ IEEE Trans. Magn., Vol.49, No.7, pp 4441, 2013
• H. Yoda, E. Kitagawa, N. Shimomura, S. Fujita, and M. Amano, ′′The Progresses of MRAM As a Memory To Save Energy Consumption and Its Potential for Further Reduction,′′ 2015 Symposium on VLSI Technology, T104-105
• M. K. Niranjan, C.G. Duan, S.S. Jaswal, and E.Tsymbal, ′′Electric field effect on magnetization at the Fe/MgO(001) interface,′′ Appl. Phys. Lett. 96, 222504 (2010)

タイトルに関連する用語 (4件)： 消費エネルギー ,  集積 ,  電圧制御 ,  スピントロニクス