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J-GLOBAL ID：201302241907448322   整理番号：13A1331900

90nmCMOS技術で作られた完全機能化64Mb DDR3 ST-MRAM

A Fully Functional 64Mb DDR3 ST-MRAM Built on 90nm CMOS Technology

著者 (15件)： RIZZO N. D. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  HOUSSAMEDDINE D. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  JANESKY J. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  WHIG R. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  MANCOFF F. B. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  SCHNEIDER M. L. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  DEHERRERA M. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  SUN J. J. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  NAGEL K. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  DESHPANDE S. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  CHIA H.-J. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  ALAM S. M. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  ANDRE T. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  AGGARWAL S. (Everspin Technol., AZ, USA) ,  SLAUGHTER J. M. (Everspin Technol., AZ, USA)
資料名： IEEE Transactions on Magnetics  (IEEE Transactions on Magnetics)
巻： 49  号： 7  ページ： 4441-4446  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： A0339B  ISSN： 0018-9464  CODEN： IEMGAQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *MRAM ,  磁気メモリ ,  *トンネル接合 ,  *磁気抵抗効果 ,  *トルク ,  *不揮発性メモリ ,  酸化マグネシウム ,  ポテンシャル障壁 ,  *データ転送 ,  伝送速度 ,  *磁化特性 ,  コバルト化合物 ,  鉄化合物 ,  ホウ素化合物
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  スピントルク ,  トンネル障壁 ,  DDR3 ,  自由層

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)