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J-GLOBAL ID：201702288873137402   整理番号：17A0362471

ナノプロービング法による注入関連欠陥の電気的解析【Powered by NICT】

Electrical analysis on implantation-related defect by nanoprobing methodology

著者 (9件)： Chen C.Q. (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  Ng P.T. (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  Ang G.B. (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  T an H. (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  Rivai Francis (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  Ma Y.Z. (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  Ng H.P. (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  Lam Jeffery (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore) ,  Mai Z.H. (Product, Test and Failure Analysis, Globalfoundries, Singapore)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 64  ページ： 317-320  発行年： 2016年 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 注入は異なるドーピング分布,深さ,角度と要素タイプによる塩基性素子セルを形成する最新の半導体プロセスにおける重要なプロセスである。トランジスタ性能に影響する重要な因子であるが,注入による欠陥は正常故障解析法による不可視である。電気解析と検証は,この種の欠陥を可視化するために必要である。電気理論は問題がプロセスを証明し間接的にこの種故障解析のにおいて重要である。トランジスタボディ効果は,特定の目的のためのトランジスタVthを変化させるある種IC設計の利用されているよく知られた効果である。しかしインプラント自体は複雑であり,理論モデルとして理想的でない均一なので,おそらく注入故障解析のためのこの効果を使用しない。本論文では,注入による欠陥は局所化構造に及ぼすナノプロービングと組み合わせたトランジスタ体効果の応用により同定することに成功した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 故障 ,  塩基性 ,  可視化 ,  半導体プロセス ,  トランジスタ ,  *故障解析
準シソーラス用語： 局在化 ,  理論モデル ,  集積回路設計 ,  ドーピングプロファイル ,  *ナノプロービング技術 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノプロービング法 ,  注入 ,  欠陥 ,  解析