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J-GLOBAL ID：201702289236748297   整理番号：17A0313248

グラフェン HfO2 バセドは抵抗RAMメモリ【Powered by NICT】

Graphene-HfO2-based resistive RAM memories

著者 (11件)： Mannequin Cedric (LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Delamoreanu Alexandru (LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Delamoreanu Alexandru (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Latu-Romain Laurence (LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Jousseaume Vincent (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Grampeix Helen (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  David Sylvain (LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Rabot Caroline (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Zenasni Aziz (CEA, LETI, MINATEC Campus, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Vallee Christophe (LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France) ,  Gonon Patrice (LTM, UJF-Grenoble1/CNRS/CEA, 17 rue des Martyrs, 38054 GRENOBLE Cedex 9, France)
資料名： Microelectronic Engineering  (Microelectronic Engineering)
巻： 161  ページ： 82-86  発行年： 2016年08月01日 
JST資料番号： C0406B  ISSN： 0167-9317  CODEN： MIENEF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 顕著な電子特性を持つ二次元物質であるグラフェンは,過去10年間に科学者間で大きな関心を集めている。グラフェンHfO_2~ベース抵抗RAMメモリの作製を報告した。酸化物層との間のグラフェン層と金トップ電極電圧を印加しないときに低抵抗状態安定性の安定化におけるを挿入し,同一グラフェン自由メモリデバイスで観察された挙動と対照的であった。グラフェンはここで酸素貯留層として使用するが,スイッチング機構に寄与している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： スイッチング ,  二次元 ,  電圧 ,  *グラフェン ,  スイッチ ,  科学者 ,  酸素 ,  *酸化ハフニウム ,  *記憶装置 ,  金
準シソーラス用語： 抵抗メモリ ,  貯留層 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 抵抗メモリ ,  炭素 ,  グラフェン ,  HfO_2 ,  スイッチ ,  インタフェイス

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： グラフェン ,  HfO2 ,  RAM