進行トランジスタ技術ゲートスタックのpARXPSとMEISによる深さプロファイリング研究【Powered by NICT】

Fauquier L.; Fauquier L.; Fauquier L.; Pelissier B.; Pelissier B.; Jalabert D.; Jalabert D.; Pierre F.; Pierre F.; Gassilloud R.; Gassilloud R.; Doloy D.; Beitia C.; Beitia C.; Baron T.; Baron T.

文献

J-GLOBAL ID：201702290112194312 整理番号：17A0402544

進行トランジスタ技術ゲートスタックのpARXPSとMEISによる深さプロファイリング研究【Powered by NICT】

Depth profiling investigation by pARXPS and MEIS of advanced transistor technology gate stack

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資料名：
巻： 169 ページ： 24-28 発行年： 2017年
JST資料番号： C0406B ISSN： 0167-9317 CODEN： MIENEF 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

相補型金属酸化物半導体(CMOS)技術の32nmノードから導入された高k金属ゲート(HKMG)膜スタックは組成の決定が必須であるが一つの主要な例である。並列角度分解X線光電子分光法(pARXPS)は最新のトランジスタ技術ゲートスタックの高分解能化学的深さプロファイリング特性化を行うことができた。最大エントロピー概念を適用しpARXPS測定することにより,深さプロファイル情報を得ることができた。が,この技術の能力は過去数年で広く議論されてきた,中エネルギーイオン散乱(MEIS),他の高分解能化学的深さプロファイリング特性評価法を用いたpARXPS深さプロファイリング法を検証するためにここで提案した。pARXPSとMEIS測定間の比較から,pARXPS深さプロファイリング法を検証し,14nmノード技術からHKMG HfON/SiONスタックの組成を正確に決定することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

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トランジスタ , 金属-絶縁体-半導体構造 , 固体デバイス計測・試験・信頼性

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